Детальная информация

Название: Исследование буферных слоев нитридов металлов III группы методом картирования рассеянной интенсивности рентгеновских лучей в пространстве обратной решетки вблизи отражений от ассиметричных плоскостей гетероструктуры: магистерская диссертация: 11.04.04
Авторы: Салаш Мария Андреевна
Научный руководитель: Байдакова М. В.; Бурковский Роман Георгиевич
Организация: Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций
Выходные сведения: Санкт-Петербург, 2017
Коллекция: Выпускные квалификационные работы; Общая коллекция
Тематика: Металлы переходные, нитриды; Кремний, карбиды; Дифракция; Полупроводниковые гетеропереходы; Рентгеноспектральный анализ; карты обратного пространства; буферный слой
УДК: 537.311.322(043.3); 546.302'171.1(043.3); 546.281'261(043.3); 539.26(043.3)
Тип документа: Выпускная квалификационная работа магистра
Тип файла: PDF
Язык: Русский
Код специальности ФГОС: 11.04.04
Группа специальностей ФГОС: 110000 - Электроника, радиотехника и системы связи
Ссылки: http://doi.org/10.18720/SPBPU/2/v17-3100

Разрешенные действия: Прочитать Загрузить (4,0 Мб) Для чтения документа необходим Flash Player

Группа: Анонимные пользователи

Сеть: Локальная сеть ИБК СПбПУ

Аннотация

Было изучено 4 гетероструктуры методами карт обратного пространства с целью выявления особенностей начального роста буферного слоя GaN и его влияния на параметры ТВПЭ-структуры. На примере материала InGaN продемонстрированы возможности таких диагностических методов как ВИМС, ПЭМ, РСМА, РД, РЭМ для характеризации буферов.

Права на использование объекта хранения

Место доступа Группа пользователей Действие
-> Локальная сеть ИБК СПбПУ Все Прочитать Печать Загрузить
Интернет Все Прочитать Печать Загрузить

Статистика использования документа

stat Количество обращений: 406
За последние 30 дней: 7
Подробная статистика