Каракчиев, Сергей Валерьевич. Исследование морфологии и профиля травления сквозных отверстий в подложке карбида кремния в технологии мощных транзисторов на основе гетероструктур AlGaN/GaN/SiC [Электронный ресурс]: магистерская диссертация: 22.04.01 / С. В. Каракчиев; Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Институт металлургии, машиностроения и транспорта ; науч. рук. Ю. В. Соловьев. — Электрон. текстовые дан. (1 файл : 3,40 Мб). — Санкт-Петербург, 2017. — Загл. с титул. экрана. — Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование). — Adobe Acrobat Reader 7.0. — <URL:http://elib.spbstu.ru/dl/2/v17-3424.pdf>. — <URL:http://doi.org/10.18720/SPBPU/2/v17-3424>.
|
Период
|
Чтение
|
Печать
|
Копирование
|
Открытие
|
Итого
|
|
Год 2017
|
Квартал 4
|
21
|
0
|
33
|
0
|
54
|
|
Год 2018
|
Квартал 1
|
10
|
0
|
43
|
0
|
53
|
|
Квартал 2
|
28
|
0
|
66
|
0
|
94
|
|
Квартал 3
|
15
|
0
|
47
|
0
|
62
|
|
Квартал 4
|
1
|
0
|
22
|
0
|
23
|
|
Год 2019
|
Квартал 1
|
5
|
0
|
36
|
0
|
41
|
|
Квартал 2
|
11
|
0
|
29
|
0
|
40
|
|
Квартал 3
|
5
|
0
|
22
|
0
|
27
|
|
Квартал 4
|
0
|
0
|
29
|
0
|
29
|
|
Год 2020
|
Квартал 1
|
5
|
0
|
32
|
0
|
37
|
|
Квартал 2
|
1
|
0
|
0
|
0
|
1
|
|
Квартал 3
|
0
|
0
|
0
|
0
|
0
|
|
Квартал 4
|
0
|
0
|
0
|
0
|
0
|
|
Всего
|
102
|
0
|
359
|
0
|
461
|
