Кудрявцева, Ксения Андреевна. Электрические и фотоэлектрические свойства гетероперехода Si/GaN<O> [Электронный ресурс]: выпускная квалификационная работа магистра: 11.04.04 - Электроника и наноэлектроника ; 11.04.04_01 - Микроэлектроника и наноэлектроника / К. А. Кудрявцева; Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций ; науч. рук. Т. А. Гаврикова. — Электрон. текстовые дан. (1 файл : 1,46 Мб). — Санкт-Петербург, 2018. — Загл. с титул. экрана. — Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование). — Adobe Acrobat Reader 7.0. — <URL:http://elib.spbstu.ru/dl/2/v18-1815.pdf>. — <URL:http://doi.org/10.18720/SPBPU/2/v18-1815>. — <URL:http://elib.spbstu.ru/dl/2/rev/v18-1815-o.pdf>. — <URL:http://elib.spbstu.ru/dl/2/rev/v18-1815-r.pdf>.
Attention
Read is not available