Details

Wickrama Arachchige, T. D. Photoluminescence of doped GaAs/AlGaAs quantum well structures in near infrared region [Электронный ресурс] = Фотолюминесценция структур c легированными квантовыми ямами GaAs/ AlGaAs в ближнем инфракрасном диапазоне: выпускная квалификационная работа бакалавра: 11.03.04 - Electronics and nanoelectronics ; 11.03.04_04 - Microelectronics and solid state electronics / Wickrama Arachchige T. D.; Peter the Great St. Petersburg Polytechnic University, Institute of Physics, Nanotechnology and Telecommunication ; supervisor V. Yu. Panevin. — Электрон. текстовые дан. (1 файл : 1,49 Мб). — Санкт-Петербург, 2018. — Загл. с титул. экрана. — Свободный доступ из сети Интернет (чтение, печать, копирование). — Adobe Acrobat Reader 7.0. — <URL:http://elib.spbstu.ru/dl/2/v18-2246.pdf>. — <URL:http://doi.org/10.18720/SPBPU/2/v18-2246>. — <URL:http://elib.spbstu.ru/dl/2/rev/v18-2246-o.pdf>.

Record create date: 10/26/2018

Subject: photoluminescence; therahertz radiation; quantum wells; impurities; infrared; фотолюминесценция; квантовыеямы; примеси; инфракрасный

Collections: Выпускные квалификационные работы; Общая коллекция

Links: DOI; Отзыв руководителя

Allowed Actions: Read Download (1.5 Mb) You need Flash Player to read document

Group: Anonymous

Network: FL SPbPU Local Network

Annotation

In this work we present the results of investigations of photoluminescence with doped quantum wells in the near infrared range at a temperature of 4.2K to 300 K. We use two nanostructures. The first nanostructure has GaAs / AlGaAs quantum wells doped with a donor impurity of silicon. Another nanostructure has GaAs / AlGaAs quantum wells doped with a silicon donor impurity and an acceptor beryllium impurity. The impurities of silicon and beryllium are doped in equal amounts. In spectra in the near infrared range, peaks associated with electron transitions of the main electron subband to the main subband of holes and observed as well as from the ground state of the donor to the main subband of holes . Based on this information, the energy of the transitions is determined in the THz range.

В настоящей работе представлены результаты исследований Фотолюминесценция c легированными квантовыми ямами в ближнем инфракрасном диапазоне при температура 4.2K до300K . Мы используем две наноструктур, Первая наноструктура имеет квантовые ямы GaAs/AlGaAs легированные донорной примесью кремния. Другая наноструктура имеет квантовые ямы GaAs/AlGaAs легированные донорной примесью кремния и акцепторной примесью бериллия. Примеси кремния и бериллия легированы в равных количествах. В спектрах в ближнем инфракрасном диапазоне наблюдаются пики связанные с переходами электронов основной электронной подзоны на основной дырочной подзоны а также из основное состояние донора на основной дырочной подзоны. На основе этой информации определяют энергию переходов который находится в THz диапазон.

Document access rights

Network User group Action
-> FL SPbPU Local Network All Read Print Download
Internet All Read Print Download

Table of Contents

  • Introduction
  • 1 . Review of the literature
    • 1.1. Photoluminescence System
    • 1. 2. Size of quantization
    • 1. 3. Impurity states in structures with doped quantum wells
      • 1.3.1 Energy diagram of the impurity semiconductor
      • 1.3.2 Impurity absorption of light
      • 1. 3.3. Emission of light in doped semiconductor
      • 1. 3.4. Impurity states in structures with doped quantum wells
    • 1.4. near infrared range emission from the structures with the doped quantum well
  • Objective of this work and task arrangement
  • 2.Investigation of sample containing structure GaAs/AlGaAs QWs
    • 2.1Sample description
    • 2.2. Measurement scheme
  • 3.Results and analysis of experiments
  • Conclusion
  • Reference

Document usage statistics

stat Document access count: 87
Last 30 days: 10
Detailed usage statistics