Детальная информация

Название: Photoluminescence of doped GaAs/AlGaAs quantum well structures in near infrared region: выпускная квалификационная работа бакалавра: 11.03.04 - Electronics and nanoelectronics ; 11.03.04_04 - Microelectronics and solid state electronics
Авторы: Wickrama Arachchige T. D.
Научный руководитель: Паневин Вадим Юрьевич
Организация: Peter the Great St. Petersburg Polytechnic University. Institute of Physics, Nanotechnology and Telecommunication
Выходные сведения: Санкт-Петербург, 2018
Коллекция: Выпускные квалификационные работы; Общая коллекция
Тематика: photoluminescence; therahertz radiation; quantum wells; impurities; infrared; фотолюминесценция; квантовыеямы; примеси; инфракрасный
Тип документа: Выпускная квалификационная работа бакалавра
Тип файла: PDF
Язык: Английский
Код специальности ФГОС: 11.03.04
Группа специальностей ФГОС: 110000 - Электроника, радиотехника и системы связи
Ссылки: http://doi.org/10.18720/SPBPU/2/v18-2246; http://elib.spbstu.ru/dl/2/rev/v18-2246-o.pdf
Права доступа: Свободный доступ из сети Интернет (чтение, печать, копирование)

Разрешенные действия: Прочитать Загрузить (1,5 Мб) Для чтения документа необходим Flash Player

Группа: Анонимные пользователи

Сеть: Интернет

Аннотация

In this work we present the results of investigations of photoluminescence with doped quantum wells in the near infrared range at a temperature of 4.2K to 300 K. We use two nanostructures. The first nanostructure has GaAs / AlGaAs quantum wells doped with a donor impurity of silicon. Another nanostructure has GaAs / AlGaAs quantum wells doped with a silicon donor impurity and an acceptor beryllium impurity. The impurities of silicon and beryllium are doped in equal amounts. In spectra in the near infrared range, peaks associated with electron transitions of the main electron subband to the main subband of holes and observed as well as from the ground state of the donor to the main subband of holes . Based on this information, the energy of the transitions is determined in the THz range.

В настоящей работе представлены результаты исследований Фотолюминесценция c легированными квантовыми ямами в ближнем инфракрасном диапазоне при температура 4.2K до300K . Мы используем две наноструктур, Первая наноструктура имеет квантовые ямы GaAs/AlGaAs легированные донорной примесью кремния. Другая наноструктура имеет квантовые ямы GaAs/AlGaAs легированные донорной примесью кремния и акцепторной примесью бериллия. Примеси кремния и бериллия легированы в равных количествах. В спектрах в ближнем инфракрасном диапазоне наблюдаются пики связанные с переходами электронов основной электронной подзоны на основной дырочной подзоны а также из основное состояние донора на основной дырочной подзоны. На основе этой информации определяют энергию переходов который находится в THz диапазон.

Права на использование объекта хранения

Место доступа Группа пользователей Действие
Локальная сеть ИБК СПбПУ Все Прочитать Печать Загрузить
-> Интернет Все Прочитать Печать Загрузить

Оглавление

  • Introduction
  • 1 . Review of the literature
    • 1.1. Photoluminescence System
    • 1. 2. Size of quantization
    • 1. 3. Impurity states in structures with doped quantum wells
      • 1.3.1 Energy diagram of the impurity semiconductor
      • 1.3.2 Impurity absorption of light
      • 1. 3.3. Emission of light in doped semiconductor
      • 1. 3.4. Impurity states in structures with doped quantum wells
    • 1.4. near infrared range emission from the structures with the doped quantum well
  • Objective of this work and task arrangement
  • 2.Investigation of sample containing structure GaAs/AlGaAs QWs
    • 2.1Sample description
    • 2.2. Measurement scheme
  • 3.Results and analysis of experiments
  • Conclusion
  • Reference

Статистика использования документа

stat Количество обращений: 92
За последние 30 дней: 5
Подробная статистика