| Table | Card | RUSMARC | |
|
|
Allowed Actions: –
Action 'Read' will be available if you login or access site from another network
Action 'Download' will be available if you login or access site from another network
Group: Anonymous Network: Internet |
Annotation
Методом фотоэлектронной спектроскопии высокого разрешения с использованием синхротронного излучения был изучен элементный состав и валентная зона приповерхностного слоя пластины n-GaAs (100) до и после облучения и модификации пучком ионов Ar+ с энергией 2,5 кэВ. Было выявлено изменение типа проводимости с n- на p-тип в облученном слое толщиной несколько нм. Эффект проявляется в сдвигах энергетических уровней в атоме и края валентной зоны на величину сопоставимую с шириной запрещенной зоны. Предположительно, изменение типа проводимости вызвано точечными антиструктурными дефектами Ga вызванными ионной бомбардировкой. Показана возможность формирования локального p-n-наноперехода на поверхности GaAs с помощью ионного пучка без использования литографических технологий.
Document access rights
| Network | User group | Action | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| ILC SPbPU Local Network | All |
|
||||
| Internet | Authorized users SPbPU |
|
||||
|
Internet | Anonymous |
Table of Contents
- СОДЕРЖАНИЕ
Usage statistics
|
|
Access count: 53
Last 30 days: 0 Detailed usage statistics |