Детальная информация
| Название | Формирование p-n-наноперехода на поверхности GaAs пучком ионов Ar+: выпускная квалификационная работа бакалавра: 16.03.01 - Техническая физика ; 16.03.01_02 - Радиофизика и электроника |
|---|---|
| Авторы | Наумочкин Максим Александрович |
| Научный руководитель | Жабко Георгий Петрович |
| Организация | Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций |
| Выходные сведения | Санкт-Петербург, 2018 |
| Коллекция | Выпускные квалификационные работы ; Общая коллекция |
| Тематика | p-n-нанопереход ; фотоэлектронная спектроскопия ; глубина проникновения ; облученный слой ; антиструктурные дефекты Ga p-типа ; валентная зона |
| Тип документа | Выпускная квалификационная работа бакалавра |
| Тип файла | |
| Язык | Русский |
| Уровень высшего образования | Бакалавриат |
| Код специальности ФГОС | 16.03.01 |
| Группа специальностей ФГОС | 160000 - Физико-технические науки и технологии |
| Ссылки | Отзыв руководителя |
| DOI | 10.18720/SPBPU/2/v18-6703 |
| Права доступа | Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование) |
| Ключ записи | RU\SPSTU\edoc\60082 |
| Дата создания записи | 28.12.2018 |
Разрешенные действия
–
Действие 'Прочитать' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети
Действие 'Загрузить' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети
| Группа | Анонимные пользователи |
|---|---|
| Сеть | Интернет |
Методом фотоэлектронной спектроскопии высокого разрешения с использованием синхротронного излучения был изучен элементный состав и валентная зона приповерхностного слоя пластины n-GaAs (100) до и после облучения и модификации пучком ионов Ar+ с энергией 2,5 кэВ. Было выявлено изменение типа проводимости с n- на p-тип в облученном слое толщиной несколько нм. Эффект проявляется в сдвигах энергетических уровней в атоме и края валентной зоны на величину сопоставимую с шириной запрещенной зоны. Предположительно, изменение типа проводимости вызвано точечными антиструктурными дефектами Ga вызванными ионной бомбардировкой. Показана возможность формирования локального p-n-наноперехода на поверхности GaAs с помощью ионного пучка без использования литографических технологий.
| Место доступа | Группа пользователей | Действие |
|---|---|---|
| Локальная сеть ИБК СПбПУ | Все |
|
| Интернет | Авторизованные пользователи СПбПУ |
|
| Интернет | Анонимные пользователи |
|
- СОДЕРЖАНИЕ
Количество обращений: 55
За последние 30 дней: 0
