?

Details
Table Card RUSMARC
Title: Разработка и создание прототипа универсальной установки плазмохимического травления различных материалов электронной техники: выпускная квалификационная работа магистра: 15.04.03 - Прикладная механика ; 15.04.03_04 - Технологии виртуального инжиниринга
Creators: Осипов Артём Арменакович
Scientific adviser: Кузин Алексей Константинович
Organization: Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт машиностроения, материалов и транспорта
Imprint: Санкт-Петербург, 2019
Collection: Выпускные квалификационные работы; Общая коллекция
Subjects: Промышленное оборудование; Плазмохимия; Травление металлов; моделирование физико-химических процессов; разработка концепции; создание оборудования; плазмохимическое травление
UDC: 544.55:621.794.4
Document type: Master graduation qualification work
File type: PDF
Language: Russian
Level of education: Master
Speciality code (FGOS): 15.04.03
Speciality group (FGOS): 150000 - Машиностроение
Links: Отзыв руководителя; Рецензия; Отчет о проверке на объем и корректность внешних заимствований
DOI: 10.18720/SPBPU/3/2019/vr/vr18-271
Rights: Доступ по паролю из сети Интернет (чтение)
Record key: ru\spstu\vkr\1969

Allowed Actions: –

Action 'Read' will be available if you login or access site from another network

Group: Anonymous

Network: Internet

Annotation

В результате проделанной работы была разработана и создана универсальная установка плазмохимического травления различных материалов электронной техники с возможностью независимой регулировки энергии ионов, поступающих к поверхности обрабатываемого материала, а также с возможностью регулировки температуры подложкодержателя в диапазоне от 20 до 400 ºС.

As a result of the work done, the universal installation of plasma-chemical etching of various materials of electronic technology was created. Implemented the possibility of independent adjustment of ions energies which are coming to the surface of the processed material, as well as the possibility of adjusting the temperature of the substrate holder in the range from 20 to 400 ºC.

Document access rights

Network User group Action
ILC SPbPU Local Network All Read
Internet Authorized users SPbPU Read
-> Internet Anonymous

Table of Contents

  • Введение
  • ГЛАВА 1. ЛИТЕРАТУРНЙЫ ОБЗОР
  • 1.1. Анализ развития рынка микроэлектромеханических (МЭМС) систем
  • 1.2. Анализ современного состояния технологий проведения процессов глубокого высокоскоростного анизотропного плазмохимического травления кварца, карбида кремния и ниобата лития
  • 1.3. Анализ современного технологического оборудования для проведения высокопроизводительных процессов плазмохимического травления кварца, карбида кремния и ниобата лития
  • ГЛАВА 2. РАЗРАБОТКА И СОЗДАНИЕ УНИВЕРСАЛЬНОЙ УСТАНОВКИ ПЛАЗМОХИМИЧЕСКОГО ТРАВЛЕНИЯ РАЗЛИЧНЫХ МАТЕРИАЛОВ ЭЛЕКТРОННОЙ ТЕХНИКИ
  • 2.1. Разработка концепции реактора установки плазмохимического травления
  • 2.2. Математическое моделирование газовой динамики
  • 2.4. Математическое моделирование индуктивно-связанной плазмы
  • 2.4. Математическое моделирование температурных полей подложкодержателя
  • ГЛАВА 3. СОЗДАНИЕ И АПРОБАЦИЯ УСТАНОВКИ
  • Заключение
  • Список использованной литературы

Usage statistics

stat Access count: 42
Last 30 days: 1
Detailed usage statistics