Детальная информация

Антонова, Анастасия Витальевна. Исследование процессов селективного жидкостного травления квантово-размерных гетеростуктур на основе арсенида галлия [Электронный ресурс] = Investigation of the processes of selective liquid etching of quantum-dimensional heterostructures based on gallium arsenide: выпускная квалификационная работа магистра: 22.04.01 - Материаловедение и технологии материалов ; 22.04.01_01 - Материаловедение наноматериалов и компонентов электронной техники / А. В. Антонова; Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Институт машиностроения, материалов и транспорта ; науч. рук. Ю. В. Соловьев. — Электрон. текстовые дан. (1 файл : 2,4 Мб). — Санкт-Петербург, 2019. — Загл. с титул. экрана. — Текст публикуется с изъятием в соответствии с распоряжением СПбПУ от 13.06.2017 г. № 91. — Свободный доступ из сети Интернет (чтение, печать). — Adobe Acrobat Reader 7.0. — <URL:http://elib.spbstu.ru/dl/3/2019/vr/vr19-1213.pdf>. — <URL:http://doi.org/10.18720/SPBPU/3/2019/vr/vr19-1213>. — <URL:http://elib.spbstu.ru/dl/3/2019/vr/rev/vr19-1213-o.pdf>. — <URL:http://elib.spbstu.ru/dl/3/2019/vr/rev/vr19-1213-r.pdf>. — <URL:http://elib.spbstu.ru/dl/3/2019/vr/rev/vr19-1213-a.pdf>.

Дата создания записи: 11.09.2019

Тематика: Полупроводниковые гетеропереходы; Травление металлов; Галлий, арсенид; жидкостное химическое травление; селективность травления; мезаструктура; профиль травления; полирующие травители

УДК: 621.794.4(043.3); 537.311.322(043.3); 661.868.1(043.3)

Коллекции: Выпускные квалификационные работы; Общая коллекция

Ссылки: DOI; Отзыв руководителя; Рецензия; Отчет о проверке на объем и корректность внешних заимствований

Разрешенные действия: Прочитать Для чтения документа необходим Flash Player

Группа: Анонимные пользователи

Сеть: Интернет

Аннотация

Работа посвящена исследованию процессов селективного жидкостного травления эпитаксиальных гетероструктур AlGaAs/InGaAs/GaAs для создания мощных полупроводниковых лазеров. В работе приведен аналитический обзор литературных данных касательно механизма жидкостного химического травления, изучены и выбраны виды травителей, концентрации и скорости травления структур, проведены измерения глубины травления с помощью профилометра, оценены профили травления.

The work is devoted to the study of selective liquid etching of epitaxial heterostructures AlGaAs/InGaAs/GaAs to create high-power semiconductor lasers. The paper presents analytical review of literature data regarding the mechanism of liquid chemical etching, are studied and selected types of etchants, concentration and speed of etching of the structures, measurements of the depth of etching using a profilometer, the estimated profiles of etching.

Права на использование объекта хранения

Место доступа Группа пользователей Действие
Локальная сеть ИБК СПбПУ Все Прочитать Печать
-> Интернет Все Прочитать Печать

Статистика использования документа

stat Количество обращений: 13
За последние 30 дней: 3
Подробная статистика