Детальная информация

Цверкун, Алена Сергеевна. Исследование формирования затворов монолитных интегральных схем на основе нитрида галлия [Электронный ресурс] = Study of the formation of gates of monolithic integrated circuits based on gallium nitride: выпускная квалификационная работа бакалавра: 28.03.01 - Нанотехнологии и микросистемная техника ; 28.03.01_01 - Технологии материалов и изделий микросистемной техники / А. С. Цверкун; Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Институт металлургии, машиностроения и транспорта ; науч. рук. Ю. В. Соловьев. — Электрон. текстовые дан. (1 файл : 2,7 Мб). — Санкт-Петербург, 2019. — Загл. с титул. экрана. — Свободный доступ из сети Интернет (чтение). — Adobe Acrobat Reader 7.0. — <URL:http://elib.spbstu.ru/dl/3/2019/vr/vr19-1660.pdf>. — <URL:http://doi.org/10.18720/SPBPU/3/2019/vr/vr19-1660>. — <URL:http://elib.spbstu.ru/dl/3/2019/vr/rev/vr19-1660-o.pdf>. — <URL:http://elib.spbstu.ru/dl/3/2019/vr/rev/vr19-1660-a.pdf>.

Дата создания записи: 26.08.2019

Тематика: СВЧ транзистор на основе гетероструктуры AlGaN/GaN; электронно-лучевая литография; затворы СВЧ транзисторов; microwave transistor based on AlGaN/GaN heterostructure; electron-beam lithography; gate of uhf transistors

Коллекции: Выпускные квалификационные работы; Общая коллекция

Ссылки: DOI; Отзыв руководителя; Отчет о проверке на объем и корректность внешних заимствований

Разрешенные действия: Прочитать Для чтения документа необходим Flash Player

Группа: Анонимные пользователи

Сеть: Интернет

Аннотация

В данной работе изложена сущность создания затворов микронных размеров для СВЧ монолитных интегральных схем и HEMT транзисторов на основе нитрида галлия с использованием электронно-лучевой литографии. Определены возможности изготовления минимальных затворов на установке электронно-лучевой литографии.

This graduation work describes the essence of creating micron-sized gates for microwave monolithic integrated circuits and gallium nitride-based HEMT transistors using electron beam lithography. The possibilities of manufacturing minimal gates on the installation of electron-beam lithography are determined.

Права на использование объекта хранения

Место доступа Группа пользователей Действие
Локальная сеть ИБК СПбПУ Все Прочитать
-> Интернет Все Прочитать

Статистика использования документа

stat Количество обращений: 20
За последние 30 дней: 4
Подробная статистика