В данной работе представлены результаты исследования оптических свойств полупроводниковых гетероструктур InGaAs/InGaAlAs с квантовыми ямами InGaAs, выращенных на подложке InP, в оптическом диапазоне 1.55 мкм. Представлены результаты исследования влияния примесей на зависимости интегральной фотолюминесценции и ширину спектра от плотности мощности возбуждения. Получены и подвергнуты анализу зависимости интегральной интенсивности фотолюминесценции и ширины спектра от температуры. Обнаружено, что с понижением температуры в спектрах фотолюминесценции у некоторых структур проявляется второй пик.

In this work we present the results of studying the optical properties of InGaAs/InGaAlAs semiconductor heterostructures with InGaAs quantum wells grown on an InP substrate in the optical range of 1.55 μm. The results of the influence of impurities on the dependences of the integrated photoluminescence and width of the spectrum on the excitation power density are presented. The dependences of the integrated photoluminescence intensity and width of the spectrum on temperature were obtained and analyzed. It is observed that lowering of the temperature results in a second peak in photoluminescence spectrum for some structures.