Детальная информация

Потапов, Александр Юрьевич. Оптические свойства квантоворазмерных гетероструктур InGaAlAs оптического диапазона 1.55 мкм, выращенных на подложках InP [Электронный ресурс] = Optical properties of InGaAlAs quantum-sized heterostructures, optical range 1.55 microns, grown on InP substrates: выпускная квалификационная работа бакалавра: 11.03.04 - Электроника и наноэлектроника ; 11.03.04_04 - Микроэлектроника и твердотельная электроника / А. Ю. Потапов; Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций ; науч. рук. В. Ю. Паневин. — Электрон. текстовые дан. (1 файл : 0,7 Мб). — Санкт-Петербург, 2019. — Загл. с титул. экрана. — Свободный доступ из сети Интернет (чтение, печать, копирование). — Adobe Acrobat Reader 7.0. — <URL:http://elib.spbstu.ru/dl/3/2019/vr/vr19-2192.pdf>. — <URL:http://doi.org/10.18720/SPBPU/3/2019/vr/vr19-2192>. — <URL:http://elib.spbstu.ru/dl/3/2019/vr/rev/vr19-2192-o.pdf>. — <URL:http://elib.spbstu.ru/dl/3/2019/vr/rev/vr19-2192-a.pdf>.

Дата создания записи: 26.08.2019

Тематика: фотолюминесценция; квантовые ямы; рекомбинация; легирование; photoluminescence; quantum wells; recombination; doping

Коллекции: Выпускные квалификационные работы; Общая коллекция

Ссылки: DOI; Отзыв руководителя; Отчет о проверке на объем и корректность внешних заимствований

Разрешенные действия: Прочитать Загрузить (0,7 Мб) Для чтения документа необходим Flash Player

Группа: Анонимные пользователи

Сеть: Локальная сеть ИБК СПбПУ

Аннотация

В данной работе представлены результаты исследования оптических свойств полупроводниковых гетероструктур InGaAs/InGaAlAs с квантовыми ямами InGaAs, выращенных на подложке InP, в оптическом диапазоне 1.55 мкм. Представлены результаты исследования влияния примесей на зависимости интегральной фотолюминесценции и ширину спектра от плотности мощности возбуждения. Получены и подвергнуты анализу зависимости интегральной интенсивности фотолюминесценции и ширины спектра от температуры. Обнаружено, что с понижением температуры в спектрах фотолюминесценции у некоторых структур проявляется второй пик.

In this work we present the results of studying the optical properties of InGaAs/InGaAlAs semiconductor heterostructures with InGaAs quantum wells grown on an InP substrate in the optical range of 1.55 μm. The results of the influence of impurities on the dependences of the integrated photoluminescence and width of the spectrum on the excitation power density are presented. The dependences of the integrated photoluminescence intensity and width of the spectrum on temperature were obtained and analyzed. It is observed that lowering of the temperature results in a second peak in photoluminescence spectrum for some structures.

Права на использование объекта хранения

Место доступа Группа пользователей Действие
-> Локальная сеть ИБК СПбПУ Все Прочитать Печать Загрузить
Интернет Все Прочитать Печать Загрузить

Статистика использования документа

stat Количество обращений: 40
За последние 30 дней: 8
Подробная статистика