Details

Работа посвящена разработке и исследованию диодных фотоприемников на основе гетероструктур N-InAsSbP/n-InAs(Sb)/P-InAsSbP с длинноволновой границей фоточувствительности ~ 4 и 5 мкм. В ходе выполнения работы предложены конструктивные решения, позволившие получить фотоприемники флип-чип конструкции, с полностью удаленной подложкой, работающие в средней ИК области спектра, характеризующиеся широкополосным спектром фотответа и квантовой эффективностью близкой к предельным значениям (QE=0.6); матричные фотоприемники небольшой размерности, в которых разделение чипа на одиночные элементы, происходящее при удалении подложки приводит к отсутствию перекрестного влияния элементов друг на друга.

N-InAsSbP/InAs/P-InAsSbP double heterostructures have been grown onto n+-InAs substrate and further processed into 2×2 photodiode array containing no n+-InAs. Spectral response and current-voltage curve in the 77-300 K temperature range have been measured and used for photodiode characterization including D*(λ) and BLIP temperature evaluation.