Детальная информация

Название Широкополосные флип-чип фотоприемники на основе гетероструктур из твердых растворов InAs (λ=3-5 мкм): выпускная квалификационная работа бакалавра: 03.03.02 - Физика ; 03.03.02_08 - Физика и технология наноструктур
Авторы Климов Александр Алексеевич
Научный руководитель Жуков Алексей Евгеньевич
Организация Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций
Выходные сведения Санкт-Петербург, 2019
Коллекция Выпускные квалификационные работы ; Общая коллекция
Тематика фотодиоды InAs ; фотодиоды InAsSb ; фотодиоды 3-5 мкм ; гетероструктура InAsSb/InAsSbP ; InAs photodiode ; InAsSb photodiode ; photodiode 3-5 μm ; heterostucture ; InAsSb/InAsSbP ; double heterostructure InAsSb/InAsSbP ; solid solution InAsSb ; mid-IR photodiode
Тип документа Выпускная квалификационная работа бакалавра
Тип файла PDF
Язык Русский
Уровень высшего образования Бакалавриат
Код специальности ФГОС 03.03.02
Группа специальностей ФГОС 030000 - Физика и астрономия
Ссылки Приложение ; Отзыв руководителя ; Рецензия ; Отчет о проверке на объем и корректность внешних заимствований
DOI 10.18720/SPBPU/3/2019/vr/vr19-3265
Права доступа Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование)
Ключ записи ru\spstu\vkr\3107
Дата создания записи 09.10.2019

Разрешенные действия

Действие 'Прочитать' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети

Действие 'Загрузить' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети

Группа Анонимные пользователи
Сеть Интернет

Работа посвящена разработке и исследованию диодных фотоприемников на основе гетероструктур N-InAsSbP/n-InAs(Sb)/P-InAsSbP с длинноволновой границей фоточувствительности ~ 4 и 5 мкм. В ходе выполнения работы предложены конструктивные решения, позволившие получить фотоприемники флип-чип конструкции, с полностью удаленной подложкой, работающие в средней ИК области спектра, характеризующиеся широкополосным спектром фотответа и квантовой эффективностью близкой к предельным значениям (QE=0.6); матричные фотоприемники небольшой размерности, в которых разделение чипа на одиночные элементы, происходящее при удалении подложки приводит к отсутствию перекрестного влияния элементов друг на друга.

N-InAsSbP/InAs/P-InAsSbP double heterostructures have been grown onto n+-InAs substrate and further processed into 2×2 photodiode array containing no n+-InAs. Spectral response and current-voltage curve in the 77-300 K temperature range have been measured and used for photodiode characterization including D*(λ) and BLIP temperature evaluation.

Место доступа Группа пользователей Действие
Локальная сеть ИБК СПбПУ Все
Прочитать Печать Загрузить
Интернет Авторизованные пользователи СПбПУ
Прочитать Печать Загрузить
Интернет Анонимные пользователи
  • BakalavrSasha_fin1
  • BakalavrSasha_fin2

Количество обращений: 50 
За последние 30 дней: 0

Подробная статистика