Детальная информация

Название: Широкополосные флип-чип фотоприемники на основе гетероструктур из твердых растворов InAs (λ=3-5 мкм): выпускная квалификационная работа бакалавра: 03.03.02 - Физика ; 03.03.02_08 - Физика и технология наноструктур
Авторы: Климов Александр Алексеевич
Научный руководитель: Жуков Алексей Евгеньевич
Организация: Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций
Выходные сведения: Санкт-Петербург, 2019
Коллекция: Выпускные квалификационные работы; Общая коллекция
Тематика: фотодиоды InAs; фотодиоды InAsSb; фотодиоды 3-5 мкм; гетероструктура InAsSb/InAsSbP; InAs photodiode; InAsSb photodiode; photodiode 3-5 μm; heterostucture; InAsSb/InAsSbP; double heterostructure InAsSb/InAsSbP; solid solution InAsSb; mid-IR photodiode
Тип документа: Выпускная квалификационная работа бакалавра
Тип файла: PDF
Язык: Русский
Код специальности ФГОС: 03.03.02
Группа специальностей ФГОС: 030000 - Физика и астрономия
Ссылки: http://doi.org/10.18720/SPBPU/3/2019/vr/vr19-3265; http://elib.spbstu.ru/dl/3/2019/vr/rev/vr19-3265-z.zip; http://elib.spbstu.ru/dl/3/2019/vr/rev/vr19-3265-o.pdf; http://elib.spbstu.ru/dl/3/2019/vr/rev/vr19-3265-r.pdf; http://elib.spbstu.ru/dl/3/2019/vr/rev/vr19-3265-a.pdf
Права доступа: Свободный доступ из сети Интернет (чтение, печать, копирование)

Разрешенные действия: Прочитать Загрузить (1,3 Мб) Для чтения документа необходим Flash Player

Группа: Анонимные пользователи

Сеть: Интернет

Аннотация

Работа посвящена разработке и исследованию диодных фотоприемников на основе гетероструктур N-InAsSbP/n-InAs(Sb)/P-InAsSbP с длинноволновой границей фоточувствительности ~ 4 и 5 мкм. В ходе выполнения работы предложены конструктивные решения, позволившие получить фотоприемники флип-чип конструкции, с полностью удаленной подложкой, работающие в средней ИК области спектра, характеризующиеся широкополосным спектром фотответа и квантовой эффективностью близкой к предельным значениям (QE=0.6); матричные фотоприемники небольшой размерности, в которых разделение чипа на одиночные элементы, происходящее при удалении подложки приводит к отсутствию перекрестного влияния элементов друг на друга.

N-InAsSbP/InAs/P-InAsSbP double heterostructures have been grown onto n+-InAs substrate and further processed into 2×2 photodiode array containing no n+-InAs. Spectral response and current-voltage curve in the 77-300 K temperature range have been measured and used for photodiode characterization including D*(λ) and BLIP temperature evaluation.

Права на использование объекта хранения

Место доступа Группа пользователей Действие
Локальная сеть ИБК СПбПУ Все Прочитать Печать Загрузить
-> Интернет Все Прочитать Печать Загрузить

Оглавление

  • BakalavrSasha_fin1
  • BakalavrSasha_fin2

Статистика использования документа

stat Количество обращений: 22
За последние 30 дней: 1
Подробная статистика