Детальная информация
| Название | Широкополосные флип-чип фотоприемники на основе гетероструктур из твердых растворов InAs (λ=3-5 мкм): выпускная квалификационная работа бакалавра: 03.03.02 - Физика ; 03.03.02_08 - Физика и технология наноструктур |
|---|---|
| Авторы | Климов Александр Алексеевич |
| Научный руководитель | Жуков Алексей Евгеньевич |
| Организация | Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций |
| Выходные сведения | Санкт-Петербург, 2019 |
| Коллекция | Выпускные квалификационные работы ; Общая коллекция |
| Тематика | фотодиоды InAs ; фотодиоды InAsSb ; фотодиоды 3-5 мкм ; гетероструктура InAsSb/InAsSbP ; InAs photodiode ; InAsSb photodiode ; photodiode 3-5 μm ; heterostucture ; InAsSb/InAsSbP ; double heterostructure InAsSb/InAsSbP ; solid solution InAsSb ; mid-IR photodiode |
| Тип документа | Выпускная квалификационная работа бакалавра |
| Тип файла | |
| Язык | Русский |
| Уровень высшего образования | Бакалавриат |
| Код специальности ФГОС | 03.03.02 |
| Группа специальностей ФГОС | 030000 - Физика и астрономия |
| Ссылки | Приложение ; Отзыв руководителя ; Рецензия ; Отчет о проверке на объем и корректность внешних заимствований |
| DOI | 10.18720/SPBPU/3/2019/vr/vr19-3265 |
| Права доступа | Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование) |
| Ключ записи | ru\spstu\vkr\3107 |
| Дата создания записи | 09.10.2019 |
Разрешенные действия
–
Действие 'Прочитать' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети
Действие 'Загрузить' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети
| Группа | Анонимные пользователи |
|---|---|
| Сеть | Интернет |
Работа посвящена разработке и исследованию диодных фотоприемников на основе гетероструктур N-InAsSbP/n-InAs(Sb)/P-InAsSbP с длинноволновой границей фоточувствительности ~ 4 и 5 мкм. В ходе выполнения работы предложены конструктивные решения, позволившие получить фотоприемники флип-чип конструкции, с полностью удаленной подложкой, работающие в средней ИК области спектра, характеризующиеся широкополосным спектром фотответа и квантовой эффективностью близкой к предельным значениям (QE=0.6); матричные фотоприемники небольшой размерности, в которых разделение чипа на одиночные элементы, происходящее при удалении подложки приводит к отсутствию перекрестного влияния элементов друг на друга.
N-InAsSbP/InAs/P-InAsSbP double heterostructures have been grown onto n+-InAs substrate and further processed into 2×2 photodiode array containing no n+-InAs. Spectral response and current-voltage curve in the 77-300 K temperature range have been measured and used for photodiode characterization including D*(λ) and BLIP temperature evaluation.
| Место доступа | Группа пользователей | Действие |
|---|---|---|
| Локальная сеть ИБК СПбПУ | Все |
|
| Интернет | Авторизованные пользователи СПбПУ |
|
| Интернет | Анонимные пользователи |
|
- BakalavrSasha_fin1
- BakalavrSasha_fin2
Количество обращений: 50
За последние 30 дней: 0
