Details

Title: Численное моделирование тепломассопереноса в установке для роста карбида кремния с легирующими примесями: выпускная квалификационная работа бакалавра: 03.03.01 - Прикладные математика и физика ; 03.03.01_01 - Математическое и экспериментальное моделирование в механике сплошных сред
Creators: Игнатенко Виктор Александрович
Scientific adviser: Иванов Николай Георгиевич
Organization: Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт прикладной математики и механики
Imprint: Санкт-Петербург, 2019
Collection: Выпускные квалификационные работы; Общая коллекция
Subjects: численное моделирование; hot-wall CVD reactor; карбид кремния; легирование; квазитермодинамическая модель; эпитаксия; Fluent; computational modeling; silicon carbide; doping; quasithermodynamic model; epitaxy
Document type: Bachelor graduation qualification work
File type: PDF
Language: Russian
Level of education: Bachelor
Speciality code (FGOS): 03.03.01
Speciality group (FGOS): 030000 - Физика и астрономия
Links: Отзыв руководителя; Отчет о проверке на объем и корректность внешних заимствований
DOI: 10.18720/SPBPU/3/2019/vr/vr19-5512
Rights: Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование)
Record key: ru\spstu\vkr\4182

Allowed Actions:

Action 'Read' will be available if you login or access site from another network Action 'Download' will be available if you login or access site from another network

Group: Anonymous

Network: Internet

Annotation

В данной работе представлены результаты численного моделирования в про- грамме Fluent течения газовой химически реагирующей смеси в установке для роста карбида кремния с легирующими примесями, поставленного аналогично натуральному эксперименту. Было рассмотрено влияние параметров модели на получаемое решение. Результаты численного и натурного экспериментов были сопоставлены и был сделан вывод о применимости рассматриваемой численной модели к моделированию роста карбида кремния легированного азотом.

In this letter results of computational modeling of gas mixture flow in setup for silicon carbide epitaxial growth in "Fluent" are shown. Influence of model parameters to solution are discussed. Results of computational and nature experiments are compared, conclusion about applicability of current model is made.

Document access rights

Network User group Action
ILC SPbPU Local Network All Read Print Download
Internet Authorized users SPbPU Read Print Download
-> Internet Anonymous

Table of Contents

  • РЕФЕРАТ
  • Введение
  • 1 Обзор литературы
  • 2 Цели и задачи
  • 3 Постановка задачи
    • 3.1 Математическая модель
      • 3.1.1 Уравнения течения газовой смеси с объёмными и поверхностными химическими реакциями
      • 3.1.2 Граничные условия на каталитической стенке
    • 3.2 Физическая модель
    • 3.3 Вычислительные аспекты
  • 4 Результаты и их обсуждение
    • 4.1 Характерные гидродинамические поля
    • 4.2 Распределения компонент газовой смеси
    • 4.3 Методические расчёты
      • 4.3.1 Зависимость от температуры
      • 4.3.2 Зависимость от соотношения C/Si
      • 4.3.3 Зависимость от расхода азота
  • 5 Заключение
  • 6 Список литературы

Usage statistics

stat Access count: 26
Last 30 days: 0
Detailed usage statistics