Details

Title Исследование процессов формирования омических контактов к эпитаксиальным слоям карбида кремния: выпускная квалификационная работа магистра: 22.04.01 - Материаловедение и технологии материалов ; 22.04.01_01 - Материаловедение наноматериалов и компонентов электронной техники
Creators Клюева Евгения Николаевна
Scientific adviser Соловьев Юрий Владимирович
Organization Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт металлургии, машиностроения и транспорта
Imprint Санкт-Петербург, 2019
Collection Выпускные квалификационные работы ; Общая коллекция
Subjects Кремний, карбиды ; Диоды полупроводниковые с барьером Шоттки ; Триоды полупроводниковые полевые ; омические контакты ; эпитаксиальные слои
UDC 546.281'261(043.3) ; 621.382.2/.3(043.3)
Document type Master graduation qualification work
File type PDF
Language Russian
Level of education Master
Speciality code (FGOS) 22.04.01
Speciality group (FGOS) 220000 - Технологии материалов
Links Отзыв руководителя ; Рецензия ; Отчет о проверке на объем и корректность внешних заимствований
DOI 10.18720/SPBPU/3/2019/vr/vr19-999
Rights Доступ по паролю из сети Интернет (чтение)
Record key ru\spstu\vkr\1188
Record create date 8/26/2019

Allowed Actions

Action 'Read' will be available if you login or access site from another network

Group Anonymous
Network Internet

Проведено исследование процесса получения омических контактов к эпитаксиальным слоям карбида кремния. Осуществлена разработка технологии формирования омических контактов к карбиду кремния. Получен режим образования омических контактов в случае SiC JBS диодов с БШ и MOSFET транзисторов. Напыление контактной металлизации производилось в автоматизированной системе электронно-лучевого напыления STE EB71. Контакты формировались методом «взрывной» фотолитографии. Вжигание контактов проводилось в установке быстрой термической обработки AS-One.

The process of obtaining ohmic contacts to epitaxial layers of silicon carbide has been studied. The technology of forming ohmic contacts to silicon carbide has been developed. The formation of ohmic contacts in the case of SiC JBS diodes with BS and MOSFET transistors is obtained. Sputtering contact metallization was carried out in an automated electron-beam sputtering system STE EB71. Contacts were formed by the method of lift-off process. Contact burn-in was carried out in an AS-One quick heat treatment installation.

Network User group Action
ILC SPbPU Local Network All
Read
Internet Authorized users SPbPU
Read
Internet Anonymous

Access count: 38 
Last 30 days: 0

Detailed usage statistics