Исследование процессов формирования омических контактов к эпитаксиальным слоям карбида кремния: выпускная квалификационная работа магистра: 22.04.01 - Материаловедение и технологии материалов ; 22.04.01_01 - Материаловедение наноматериалов и компонентов электронной техники

Клюева, Евгения Николаевна

Details

	Table	Card	RUSMARC

Title:	Исследование процессов формирования омических контактов к эпитаксиальным слоям карбида кремния: выпускная квалификационная работа магистра: 22.04.01 - Материаловедение и технологии материалов ; 22.04.01_01 - Материаловедение наноматериалов и компонентов электронной техники
Creators:	Клюева Евгения Николаевна
Scientific adviser:	Соловьев Юрий Владимирович
Organization:	Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт металлургии, машиностроения и транспорта
Imprint:	Санкт-Петербург, 2019
Collection:	Выпускные квалификационные работы; Общая коллекция
Subjects:	Кремний, карбиды; Диоды полупроводниковые с барьером Шоттки; Триоды полупроводниковые полевые; омические контакты; эпитаксиальные слои
UDC:	546.281'261(043.3); 621.382.2/.3(043.3)
Document type:	Master graduation qualification work
File type:	PDF
Language:	Russian
Speciality code (FGOS):	22.04.01
Speciality group (FGOS):	220000 - Технологии материалов
Links:	http://doi.org/10.18720/SPBPU/3/2019/vr/vr19-999; http://elib.spbstu.ru/dl/3/2019/vr/rev/vr19-999-o.pdf; http://elib.spbstu.ru/dl/3/2019/vr/rev/vr19-999-r.pdf; http://elib.spbstu.ru/dl/3/2019/vr/rev/vr19-999-a.pdf
Rights:	Свободный доступ из сети Интернет (чтение)

Allowed Actions: Read You need Flash Player to read document

Group: Anonymous

Network: Internet

Annotation

Проведено исследование процесса получения омических контактов к эпитаксиальным слоям карбида кремния. Осуществлена разработка технологии формирования омических контактов к карбиду кремния. Получен режим образования омических контактов в случае SiC JBS диодов с БШ и MOSFET транзисторов. Напыление контактной металлизации производилось в автоматизированной системе электронно-лучевого напыления STE EB71. Контакты формировались методом «взрывной» фотолитографии. Вжигание контактов проводилось в установке быстрой термической обработки AS-One.

The process of obtaining ohmic contacts to epitaxial layers of silicon carbide has been studied. The technology of forming ohmic contacts to silicon carbide has been developed. The formation of ohmic contacts in the case of SiC JBS diodes with BS and MOSFET transistors is obtained. Sputtering contact metallization was carried out in an automated electron-beam sputtering system STE EB71. Contacts were formed by the method of lift-off process. Contact burn-in was carried out in an AS-One quick heat treatment installation.

Document access rights

	Network		User group		Action
	FL SPbPU Local Network		All
	Internet		All

Document usage statistics

Document access count: 20
Last 30 days: 0
Detailed usage statistics