Данная работа посвящена изучению зависимости технологических параметров метода высокотемпературного отжига подложек карбида кремния на количество образуемого однослойного графена. Были исследованы области однослойного и двухслойного графена на поверхности 4H-SiC подложек методами Кельвин-зонд микроскопии и спектроскопии комбинационного рассеяния света. Экспериментально установлены основные параметры роста, при которых достигается минимальное значение двухслойных областей и которые позволяют выполнять синтез однослойного покрытия с долей до 95% поверхности подложки.

This work is devoted to the study of the dependence of the technological parameters of the method of high-temperature annealing of silicon carbide substrates on the amount of single-layer graphene formed. The regions of single-layer and double-layer graphene on the surface of 4H-SiC substrates were studied by Kelvin probe microscopy and Raman spectroscopy. The main growth parameters were experimentally established, at which the minimum value of two-layer regions is achieved and which allow one to synthesize a single-layer coating with a fraction of up to 95% of the substrate surface.