Детальная информация

Название: Анализ химического состояния поверхности после атомно-слоевого формирования оксидов железа на оксиде кремния: выпускная квалификационная работа бакалавра: направление 28.03.01 «Нанотехнологии и микросистемная техника» ; образовательная программа 28.03.01_01 «Технологии наноматериалов и изделий микросистемной техники»
Авторы: Баишев Булат Марсович
Научный руководитель: Шахмин Александр Львович
Организация: Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт машиностроения, материалов и транспорта
Выходные сведения: Санкт-Петербург, 2023
Коллекция: Выпускные квалификационные работы; Общая коллекция
Тематика: рентгеновский фотоэлектронный спектроскопический анализ; химическое состояние; оксиды железа; структура; взаимодействие; морфология; осаждение тонких пленок; химия поверхности; x-ray photoelectron spectroscopic analysis; chemical state; iron oxides; structure; interaction; morphology; thin films deposition; surface chemistry news
Тип документа: Выпускная квалификационная работа бакалавра
Тип файла: PDF
Язык: Русский
Уровень высшего образования: Бакалавриат
Код специальности ФГОС: 28.03.01
Группа специальностей ФГОС: 280000 - Нанотехнологии и наноматериалы
DOI: 10.18720/SPBPU/3/2023/vr/vr23-4323
Права доступа: Доступ по паролю из сети Интернет (чтение)
Ключ записи: ru\spstu\vkr\22112

Разрешенные действия:

Действие 'Прочитать' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети

Группа: Анонимные пользователи

Сеть: Интернет

Аннотация

В данной работе проведено получение слоев оксида железа на подложке из оксида кремния путем атомно-слоевого осаждения (АСО). Методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии (РФС) определено химическое состояние атомов в образце. Проведен анализ изменения химического состояния по толщине слоев и оценена толщина слоев. Проведено сравнение характеристик образцов – после осаждения и обожженных.

In this work, iron oxide layers were obtained on a silicon oxide substrate by atomic layer deposition (ALD). The chemical state of each atom in the sample was determined by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS). The analysis of changes in the chemical state with respect to the thickness of the layers and the increase in thickness was carried out. The characteristics of heated and unheated samples are compared.

Права на использование объекта хранения

Место доступа Группа пользователей Действие
Локальная сеть ИБК СПбПУ Все Прочитать
Интернет Авторизованные пользователи СПбПУ Прочитать
-> Интернет Анонимные пользователи

Статистика использования

stat Количество обращений: 6
За последние 30 дней: 2
Подробная статистика