Тема выпускной квалификационной работы: «Подборка технологических режимов процессов ионно-лучевого травления при производстве фотошаблонов». Данная работа посвящена исследованию зависимости процесса ионно-лучевого травления от технологических параметров. Задачи, которые решались в ходе исследования: 1. Анализ параметров, влияющих на процесс ионно-лучевого травления. 2. Изучение особенностей строения ионно-лучевой установки Nordiko α120. 3. Проведение эксперимента и анализ получившихся образцов. 4. Подбор оптимального технологического режима ионно-лучевого травления. Работа проведена на базе НИТИ «Авангард», где собиралась значительная часть фактического материала: результаты ионно-лучевого травления, а также информация о глубине протравленного материала. Были проведены расчеты, выявлены зависимости и построены графики, показывающие наглядно, каким образом меняется неравномерность и скорость травления при тех или иных условиях. Результаты исследования были представлены графически с использованием программного продукта Origin. В результате было проанализировано влияние напряжения на сетках ионного источника и мощности источника на равномерность травления пленок из оксида железа и хрома. Были подобраны режимы с оптимальным соотношением неравномерности и скорости травления.

The topic of the final qualifying work: «Selection of technological modes of ion-beam etching processes in the production of photomasks». This work is devoted to the study of the dependence of the ion beam etching process on technological parameters. Tasks that were solved during the study: 1. Analysis of parameters affecting the ion beam etching process. 2. Study of the structural features of the Nordiko α120 ion beam installation. 3. Conducting an experiment and analyzing the resulting samples. 4. Selection of the optimal technological mode of ion beam etching. The work was carried out based on the Research Institute of Technology «Avangard», where a significant part of the factual material was collected: the results of ion-beam etching, as well as information about the depth of the etched material. Calculations were carried out and graphs were constructed showing clearly how the unevenness and speed of etching changes under certain conditions. The graphs were built in the Origin app. As a result, the effect of the voltage on the grids of the ion source and the power of the source on the uniformity of etching of films made of iron oxide and chromium was analyzed. Modes with an optimal ratio of unevenness and etching speed were selected.