Влияние условий роста на свойства эпитаксиальных слоев AlN, выращенных на подложках SiC методом хлоридно-гидридной эпитаксии // Материалы...26 ноября - 1 декабря 2001 года. – 2002. – Радиофизический факультет. — Ч.8

Document Information