Влияние условий роста на свойства эпитаксиальных слоев AlN, выращенных на подложках SiC методом хлоридно-гидридной эпитаксии

Details

	Table	Card	RUSMARC

Title:	Влияние условий роста на свойства эпитаксиальных слоев AlN, выращенных на подложках SiC методом хлоридно-гидридной эпитаксии // Материалы...26 ноября - 1 декабря 2001 года. – 2002. – Радиофизический факультет
Creators:	Ледяев О.Ю.; Сидоров В.Г.; Николаев А.Е.
Other creators:	Глухов Владимир Викторович
Organization:	Санкт-Петербургский государственный технический университет. Межвузовская научная конференция, Юбилейная неделя науки (30; 2001; Санкт-Петербург); Совет СПбГТУ по научно-исследовательской работе студентов
Imprint:	Санкт-Петербург, 2003
Collection:	Общая коллекция
Subjects:	нитриды III-группы; AlN/SiC-подложки; эпитаксиальные слои
UDC:	537.311.322
Document type:	Article, report
File type:	PDF
Language:	Russian
Rights:	Свободный доступ из сети Интернет (чтение, печать, копирование)
Record key:	RU\SPSTU\edoc\3095

Allowed Actions: Read Download (113 Kb)

Group: Anonymous

Network: Internet

	Network		User group		Action
	ILC SPbPU Local Network		All
	Internet		All

Access count: 753
Last 30 days: 6
Detailed usage statistics