Детальная информация
| Название | Влияние условий роста на свойства эпитаксиальных слоев AlN, выращенных на подложках SiC методом хлоридно-гидридной эпитаксии // Материалы...26 ноября - 1 декабря 2001 года. – 2002. – Радиофизический факультет. — Ч.8 |
|---|---|
| Авторы | Ледяев О.Ю. ; Сидоров В.Г. ; Николаев А.Е. |
| Другие авторы | Глухов Владимир Викторович |
| Организация | Санкт-Петербургский государственный технический университет. Межвузовская научная конференция, Юбилейная неделя науки (30; 2001; Санкт-Петербург) ; Совет СПбГТУ по научно-исследовательской работе студентов |
| Выходные сведения | Санкт-Петербург, 2003 |
| Коллекция | Общая коллекция |
| Тематика | нитриды III-группы ; AlN/SiC-подложки ; эпитаксиальные слои |
| УДК | 537.311.322 |
| Тип документа | Статья, доклад |
| Тип файла | |
| Язык | Русский |
| Права доступа | Свободный доступ из сети Интернет (чтение, печать, копирование) |
| Ключ записи | RU\SPSTU\edoc\3095 |
| Дата создания записи | 24.06.2003 |
Количество обращений: 1121
За последние 30 дней: 26