Меню
На главную
Расширенный поиск
Атрибутный поиск
Контакты
Информационно-библиотечный комплекс
Вход в систему
Русский
English
Влияние условий роста на свойства эпитаксиальных слоев AlN,
выращенных на подложках SiC методом хлоридно-гидридной эпитаксии // Материалы.
.
.
26 ноября - 1 декабря 2001 года.
– 2002.
– Радиофизический факультет
Информация о документе