Ледяев, О.Ю. Влияние условий роста на свойства эпитаксиальных слоев AlN, выращенных на подложках SiC методом хлоридно-гидридной эпитаксии [Электронный ресурс] / О.Ю. Ледяев, В.Г. Сидоров, А.Е. Николаев. — (Секция "Физика полупроводников и наноэлектроника"). — Электрон. текстовые дан. (1 файл :113 Кб) // Материалы...26 ноября - 1 декабря 2001 года [Электронный ресурс] / Совет СПбГТУ по научно-исследовательской работе студентов; Под общ. ред. В.В. Глухова. – Санкт-Петербург. – 2002. – Радиофизический факультет [Электронный ресурс]. — Ч.8. — Загл. с титул. экрана. — Электрон. версия печ. публикации. — Свободный доступ из сети Интернет (чтение, печать, копирование). — Adobe Acrobat Reader 4.0. — <URL:http://elib.spbstu.ru/dl/001520.pdf>.
| Период | Чтение | Печать | Копирование | Открытие | Итого |
|---|---|---|---|---|---|
| Вчера | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 |
| Последние 30 дней | 31 | 0 | 19 | 0 | 50 |
| Последние 365 дней | 96 | 0 | 58 | 0 | 154 |
| За все время | 615 | 0 | 498 | 0 | 1 113 |