Ледяев, О.Ю. Влияние условий роста на свойства эпитаксиальных слоев AlN, выращенных на подложках SiC методом хлоридно-гидридной эпитаксии [Электронный ресурс] / О.Ю. Ледяев, В.Г. Сидоров, А.Е. Николаев. — (Секция "Физика полупроводников и наноэлектроника"). — Электрон. текстовые дан. (1 файл :113 Кб) // Материалы...26 ноября - 1 декабря 2001 года [Электронный ресурс] / Совет СПбГТУ по научно-исследовательской работе студентов; Под общ. ред. В.В. Глухова. – Санкт-Петербург. – 2002. – Радиофизический факультет [Электронный ресурс]. — Загл. с титул. экрана. — Электрон. версия печ. публикации. — Свободный доступ из сети Интернет (чтение, печать, копирование). — Adobe Acrobat Reader 4.0. — <URL:http://elib.spbstu.ru/dl/001520.pdf>.