Статистика использования

Ледяев, О.Ю. Влияние условий роста на свойства эпитаксиальных слоев AlN, выращенных на подложках SiC методом хлоридно-гидридной эпитаксии [Электронный ресурс] / О.Ю. Ледяев, В.Г. Сидоров, А.Е. Николаев. — (Секция "Физика полупроводников и наноэлектроника"). — Электрон. текстовые дан. (1 файл :113 Кб) // Материалы...26 ноября - 1 декабря 2001 года [Электронный ресурс] / Совет СПбГТУ по научно-исследовательской работе студентов; Под общ. ред. В.В. Глухова. – Санкт-Петербург. – 2002. – Радиофизический факультет [Электронный ресурс]. — Загл. с титул. экрана. — Электрон. версия печ. публикации. — Свободный доступ из сети Интернет (чтение, печать, копирование). — Adobe Acrobat Reader 4.0. — <URL:http://elib.spbstu.ru/dl/001520.pdf>.

stat
Период Чтение Печать Копирование Открытие Итого
Год 2012 Квартал 1 2 0 2 0 4
Квартал 2 4 0 3 0 7
Квартал 3 5 0 2 0 7
Квартал 4 7 0 6 0 13
Год 2013 Квартал 1 1 0 4 0 5
Квартал 2 10 0 3 0 13
Квартал 3 15 0 7 0 22
Квартал 4 14 0 5 0 19
Год 2014 Квартал 1 21 0 10 0 31
Квартал 2 26 0 6 0 32
Квартал 3 15 0 5 0 20
Квартал 4 15 0 5 0 20
Год 2015 Квартал 1 12 0 5 0 17
Квартал 2 27 0 20 0 47
Квартал 3 14 0 16 0 30
Квартал 4 16 0 10 0 26
Год 2016 Квартал 1 23 0 8 0 31
Квартал 2 9 0 7 0 16
Квартал 3 13 0 4 0 17
Квартал 4 12 0 9 0 21
Год 2017 Квартал 1 8 0 3 0 11
Квартал 2 3 0 10 0 13
Квартал 3 6 0 7 0 13
Квартал 4 11 0 13 0 24
Год 2018 Квартал 1 6 0 8 0 14
Квартал 2 4 0 21 0 25
Квартал 3 4 0 24 0 28
Квартал 4 8 0 7 0 15
Год 2019 Квартал 1 3 0 26 0 29
Квартал 2 4 0 13 0 17
Квартал 3 1 0 5 0 6
Квартал 4 3 0 3 0 6
Год 2020 Квартал 1 2 0 14 0 16
Квартал 2 6 0 0 0 6
Квартал 3 9 0 0 0 9
Квартал 4 9 0 10 0 19
Год 2021 Квартал 1 11 0 9 0 20
Квартал 2 8 0 9 0 17
Квартал 3 5 0 6 0 11
Квартал 4 4 0 7 0 11
Всего 376 0 332 0 708