Детальная информация
Название | Выращивание гетероструктур InGaN/GaN методом молекулярно-лучевой эпитаксии на сапфире // Материалы...24 - 29 ноября 2003г. – 2005. – Радиофизический факультет |
---|---|
Авторы | Петров С.И.; Сидоров В.Г. |
Другие авторы | Глухов Владимир Викторович |
Организация | Санкт-Петербургский государственный политехнический университет. Межвузовская научная-техническая конференция, Неделя науки (32; 2003; Санкт-Петербург); Совет СПбГПУ по научно-исследовательской работе студентов |
Выходные сведения | Санкт-Петербург, 2005 |
Коллекция | Общая коллекция |
Тематика | молекулярно-лучевая эпитаксия; приборные гетероструктуры |
Тип документа | Статья, доклад |
Тип файла | |
Язык | Русский |
Права доступа | Свободный доступ из сети Интернет (чтение, печать, копирование) |
Ключ записи | RU\SPSTU\edoc\8214 |
Дата создания записи | 09.03.2005 |
We unify the method of exchange perturbation theory for multicenter systems. For the case ofexchange degeneracy in the total spin of the system we give a seqular equation. On the basis of thisformalism we develop an algorithm for calculating the Heisenberg parameter for magnetic materials. Finally,we calculate the characteristics of antiferromagnetic transitions for the high-Tc materials La2-xMeCuO4 andYBa2Cu3O6.
The growth of InGaN/GaN heterostructures on sapphire substrates were realized on ammoniaMBE system produced by ATC-STE. The photoluminescence properties and In content depending on thegrowth conditions such as InGaN growth rate and temperature were investigated. The growth temperature6500C and growth rate 0.05 mkm/h of InGaN were found to be optimal for emission in blue range of spectrain our growth conditions.
Количество обращений: 902
За последние 30 дней: 3