Details

Title Излучение терагерцового диапазона при примесных переходах носителей заряда в квантовых ямах GaAs/AlGaAs: магистерская диссертация
Creators Махов Иван Сергеевич
Organization Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций
Imprint Санкт-Петербург, 2015
Collection Выпускные квалификационные работы ; Общая коллекция
Subjects Полупроводниковые структуры ; Фотолюминесценция
UDC 537.311.322:535.37(043.3)
Document type Other
File type PDF
Language Russian
Rights Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование)
Record key RU\SPSTU\edoc\27045
Record create date 7/16/2015

Allowed Actions

Action 'Read' will be available if you login or access site from another network

Action 'Download' will be available if you login or access site from another network

Group Anonymous
Network Internet

В настоящей работе представлены результаты исследований примесной фотолюминесценции терагерцового и ближнего инфракрасного диапазонов в структурах с квантовыми ямами GaAs/AlGaAs, легированными донорной примесью кремния. В спектрах фотолюминесценции в ближнем инфракрасном диапазоне была обнаружена линия излучения, за которую ответственны оптические переходы электронов из основного состояния донорной примеси в квантовых ямах в нижнюю подзону тяжелых дырок в квантовых ямах. Опустошение основного состояния донора благодаря этим переходам позволило наблюдать фотолюминесценцию в терагерцовом диапазоне, связанную с переходами электронов из первой подзоны размерного квантования на основное состояния донора, а также с внутрицентровыми оптическими переходами. Результаты исследования ФЛ в ближнем и дальнем ИК диапазонах дополняют друг друга и хорошо согласуются с теоретическими расчетами.

The results of experimental investigations of impurity-assisted photoluminescence from Si-doped GaAs/AlGaAs quantum wells both in terahertz and near-infrared spectral ranges are presented. The optical electron transitions from impurity ground state to first heavy hole subband in near-infrared spectral range are revealed. The depopulation of the donor ground state due to these transitions allowed us to observe photoluminescence in terahertz spectral range related to electron transitions from the first electron subband to donor ground state as well as to intracenter optical transitions. Experimental results in terahertz and near-infrared spectral ranges are in good agreement with the energy spectrum calculations.

Network User group Action
ILC SPbPU Local Network All
Read Print Download
Internet Authorized users SPbPU
Read Print Download
Internet Anonymous

Access count: 666 
Last 30 days: 0

Detailed usage statistics