Details
| Title | Влияние имплантации ионов Ar{+} и Cd{+} на состав и электронную структуру монокристаллического теллурида цинка = The influence of Ar{+} and Cd{+} ion implantation on the composition and electronic structure of monocrystalline zinc telluride // Научно-технические ведомости Санкт-Петербургского государственного политехнического университета. Сер.: Физико-математические науки. – 2026. – Т. 19, № 2. — С. 84-97 |
|---|---|
| Creators | Хужаниёзов Ж. Б. ; Умирзаков Б. Е. ; Ташмухамедова Д. А. ; Лобода В. В. ; Абдувайитов А. А. |
| Imprint | 2026 |
| Collection | Общая коллекция |
| Subjects | Энергетика ; Полупроводниковые материалы и изделия ; теллурид цинка ; монокристаллический теллурид цинка ; электронные структуры ; имплантация ионов ; гетероструктуры ; фотоэлектронная спектроскопия ; молекулярно-лучевая эпитаксия ; zinc telluride ; monocrystalline zinc telluride ; electronic structures ; ion implantation ; heterostructures ; photoelectron spectroscopy ; molecular beam epitaxy |
| UDC | 621.315.592 |
| LBC | 31.233 |
| Document type | Article, report |
| Language | Russian |
| DOI | 10.18721/JPM.19208 |
| Rights | Свободный доступ из сети Интернет (чтение, печать, копирование) |
| Additionally | New arrival |
| Record key | RU\SPSTU\edoc\80257 |
| Record create date | 11/11/2026 |
Влияние ионной имплантации Ar{+} и Cd{+}, а также последующего термического отжига было изучено на монокристаллическом образце ZnTe (111) с применением комплекса методов спектроскопии: ультрафиолетовой фотоэлектронной, поглощения света в УФ-, ИК-, видимой областях и Оже-электронной. Результаты исследований показали, что бомбардировка поверхности ионами Ar{+} и Cd{+} с энергией E[0]= 1 кэВ до достижения дозы насыщения D[sat] = (6-8)*10{16} см{-2} приводит к разрушению кристаллической структуры ионно-имплантированных слоев и, как следствие, к металлизации поверхности. В частности, после имплантации ионами Cd{+} и последующего отжига при температуре Т = 850 K наблюдается формирование гомогенной сплошной пленки Zn[0,5]Cd[0,5]Te толщиной 30 - 35 Ангстрем, что свидетельствует о перераспределении компонентов и образовании нового фазового состояния на поверхности ZnTe. Результаты исследования тонких пленок Zn[0,5]Cd[0,5]Te демонстрируют наличие двух отчетливо выраженных максимумов в спектрах валентных электронов, соответствующих энергиям связи -1,4 эВ и -5,2 эВ.
The effect of Ar{+} and Cd{+} ion implantation and subsequent thermal annealing has been studied on a single-crystal ZnTe (111) using a whole range of spectroscopy methods: ultraviolet photoelectron one (UPS), light absorption one, and Auger electron one (AES). The results showed that bombardment of the surface with Ar{+} and Cd{+} ions with an energy of E[0] = 1 keV until a saturation dose of of Dsat = (6-8)*10{16}cm{-2} was reached resulted in the destruction of the crystal structure of the ion-implanted layers and, as a consequence, in surface metallization. In particular, after implantation with Cd{+} ions and subsequent annealing at T = 850 K, the formation of a homogeneous continuous Zn[0.5]Cd[0.5]Te film 30-35 Angstrom thick was observed, which indicated the redistribution of components and the formation of a new phase state on the ZnTe surface. The results of the study of Zn[0.5]Cd[0.5]Te thin films demonstrate the presence of two clearly defined maxima in the valence electron spectra corresponding to binding energies of -1.4 eV and -5.2 eV.
| Network | User group | Action |
|---|---|---|
| ILC SPbPU Local Network | All |
|
| Internet | All |
|
