| Table | Card | RUSMARC | |
|
|
Allowed Actions: –
Action 'Read' will be available if you login or access site from another network
Action 'Download' will be available if you login or access site from another network
Group: Anonymous Network: Internet |
Annotation
Рассмотрены физические свойства полупроводников с неупорядоченно распределенными примесными атомами и некоторые общие вопросы физики неупорядоченных систем. Изложению физики неупорядоченных полупроводников предшествует краткий обзор основных понятий теории протекания. Далее рассматриваются переходы типа металл - диэлектрик (переходы Мотта и Андерсона), локализованные состояния в слабо легированных полупроводниках, включая сильно компенсированные, а также термодинамика точечных дефектов. Предназначено для студентов старших курсов физических специальностей радиофизического и физико-технического факультетов; а также может быть рекомендовано аспирантам и исследователям, работающим в области физики и техники полупроводников, для углубленного изучения предмета.
Печатается по решению редакционно-издательского совета Санкт-Петербургского государственного технического университета.
Document access rights
| Network | User group | Action | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| ILC SPbPU Local Network | All |
|
||||
| Internet | Authorized users SPbPU |
|
||||
|
Internet | Anonymous |
Table of Contents
- ОГЛАВЛЕНИЕ
- Введение
- Принятые обозначения
- Глава 1. Основные понятия теории протекания
- Глава 2. Переход Мотта
- Глава 3. Модели Андерсона и Лифшица
- Глава 4. Прыжковая проводимость
- Глава 5. Кулоновская щель
- Глава б. Сильно легированные полупроводники
- Глава 7. Термодинамика дефектов
- Заключение
- Список литературы
Usage statistics
|
|
Access count: 10
Last 30 days: 0 Detailed usage statistics |