Details
Title | Физика неупорядоченных полупроводников: учебное пособие |
---|---|
Creators | Равич Юрий Исакович ; Немов Сергей Александрович |
Organization | Санкт-Петербургский государственный технический университет |
Imprint | Санкт-Петербург: [СПбГТУ], 1994 |
Electronic publication | Санкт-Петербург, 2020 |
Collection | Учебная и учебно-методическая литература ; Общая коллекция |
Subjects | Полупроводники — Физика |
UDC | 537.311.322(075.8) |
Document type | Tutorial |
File type | |
Language | Russian |
Speciality code (FGOS) | 03.00.00 |
Speciality group (FGOS) | 030000 - Физика и астрономия |
DOI | 10.18720/SPBPU/2/si20-1370 |
Rights | Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование) |
Record key | RU\SPSTU\edoc\64175 |
Record create date | 11/26/2020 |
Allowed Actions
–
Action 'Read' will be available if you login or access site from another network
Action 'Download' will be available if you login or access site from another network
Group | Anonymous |
---|---|
Network | Internet |
Рассмотрены физические свойства полупроводников с неупорядоченно распределенными примесными атомами и некоторые общие вопросы физики неупорядоченных систем. Изложению физики неупорядоченных полупроводников предшествует краткий обзор основных понятий теории протекания. Далее рассматриваются переходы типа металл - диэлектрик (переходы Мотта и Андерсона), локализованные состояния в слабо легированных полупроводниках, включая сильно компенсированные, а также термодинамика точечных дефектов. Предназначено для студентов старших курсов физических специальностей радиофизического и физико-технического факультетов; а также может быть рекомендовано аспирантам и исследователям, работающим в области физики и техники полупроводников, для углубленного изучения предмета.
Печатается по решению редакционно-издательского совета Санкт-Петербургского государственного технического университета.
Network | User group | Action |
---|---|---|
ILC SPbPU Local Network | All |
|
Internet | Authorized users SPbPU |
|
Internet | Anonymous |
|
- ОГЛАВЛЕНИЕ
- Введение
- Принятые обозначения
- Глава 1. Основные понятия теории протекания
- Глава 2. Переход Мотта
- Глава 3. Модели Андерсона и Лифшица
- Глава 4. Прыжковая проводимость
- Глава 5. Кулоновская щель
- Глава б. Сильно легированные полупроводники
- Глава 7. Термодинамика дефектов
- Заключение
- Список литературы
Access count: 12
Last 30 days: 0