Гончаренко, Наталья Евгеньевна. Исследование светодиодов среднего ИК излучения с длиной волны 2.5-2.7 мкм на основе гетероструктур n-GaInAsSb/p-GaSb [Электронный ресурс]: дипломная работа: 210104 / Н. Е. Гончаренко; Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций ; науч. рук. Ю. П. Яковлев. — Электрон. текстовые дан. (1 файл : 1,55 МБ). — Санкт-Петербург, 2016. — Загл. с титул. экрана. — Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование). — Текстовый файл. — Adobe Acrobat Reader 7.0. — <URL:http://elib.spbstu.ru/dl/2/v16-1125.pdf>. — <URL:http://doi.org/10.18720/SPBPU/2/v16-1125>.
|
Period
|
Read
|
Print
|
Copy
|
Open
|
Total
|
|
Year 2016
|
17
|
0
|
38
|
0
|
55
|
|
Year 2017
|
33
|
0
|
82
|
0
|
115
|
|
Year 2018
|
39
|
0
|
158
|
0
|
197
|
|
Year 2019
|
19
|
0
|
94
|
0
|
113
|
|
Year 2020
|
5
|
0
|
14
|
0
|
19
|
|
Year 2021
|
0
|
0
|
1
|
0
|
1
|
|
Year 2022
|
0
|
0
|
2
|
0
|
2
|
|
Year 2023
|
1
|
0
|
0
|
0
|
1
|
|
Year 2024
|
1
|
0
|
0
|
0
|
1
|
|
Total
|
115
|
0
|
389
|
0
|
504
|
