Ганбарова, Татьяна Шахиновна. Электрофизические свойства метаморфных структур с КЯ InAs/In₀.₇₅Ga₀.₂₅As/In₀.₇₅Al₀.₂₅As, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии [Электронный ресурс]: магистерская диссертация: 16.04.01 / Т. Ш. Ганбарова; Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций ; науч. рук. С. А. Рыков, Т. А. Комиссарова. — Электрон. текстовые дан. (1 файл : 2,26 МБ). — Санкт-Петербург, 2017. — Загл. с титул. экрана. — Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование). — Adobe Acrobat Reader 7.0. — <URL:http://elib.spbstu.ru/dl/2/v17-2768.pdf>. — <URL:http://doi.org/10.18720/SPBPU/2/v17-2768>.
Period | Read | Copy | Open | Total | |
---|---|---|---|---|---|
Year 2017 | 29 | 0 | 75 | 0 | 104 |
Year 2018 | 51 | 0 | 247 | 0 | 298 |
Year 2019 | 13 | 0 | 155 | 0 | 168 |
Year 2020 | 7 | 0 | 38 | 0 | 45 |
Year 2021 | 0 | 0 | 1 | 0 | 1 |
Total | 100 | 0 | 516 | 0 | 616 |