Table | Card | RUSMARC | |
Allowed Actions: –
Action 'Read' will be available if you login or access site from another network
Action 'Download' will be available if you login or access site from another network
Group: Anonymous Network: Internet |
Annotation
В работе исследуются изменения оптических свойств полупроводниковых квантовых точек (ПКТ) InAs захороненных в GaAs (001) в присутствии металлических наночастиц. В первой части работы исследуются ПКТ, заращенные слоем GaAs, выращенного при низкой температуре. Прямое заращивание привело к формированию дислокаций несоответствия, в следствие чего интенсивность фотолюминесценции снизилась на три порядка. В присутствие разделительного слоя GaAs между ПКТ и низкотемпературным GaAs привело к усилению интенсивности ФЛ в два раза относительно образца без разделительного слоя. В то же время спектр ФЛ сместился в область низких энергий. Эти изменения были качественно и количественно описаны туннелированием электронов из ПКТ через GaAs в слой LT-GaAs. Использование разделительного слоя AlAs вместо GaAs сделало барьер туннельно-непрозрачным. В результате форма спектра ФЛ и его интенсивность приблизились к параметрам спектра ФЛ референтного образца без слоя LT-GaAs.
Document access rights
Network | User group | Action | ||||
---|---|---|---|---|---|---|
ILC SPbPU Local Network | All | |||||
Internet | Authorized users SPbPU | |||||
Internet | Anonymous |
Usage statistics
Access count: 294
Last 30 days: 0 Detailed usage statistics |