Details

Title Создание и исследование фотодиодов в средней ИК области спектра (2-5 мкм) на основе гетероструктур InAsSb/InAsSbP: выпускная квалификационная работа бакалавра: 11.03.04 - Электроника и наноэлектроника ; 11.03.04_04 - Микроэлектроника и твердотельная электроника
Creators Степанов Евгений Михайлович
Scientific adviser Яковлев Юрий Павлович
Organization Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций
Imprint Санкт-Петербург, 2018
Collection Выпускные квалификационные работы; Общая коллекция
Subjects фотодиод; двойная гетероструктура; средний ИК диапазон
Document type Bachelor graduation qualification work
File type PDF
Language Russian
Level of education Bachelor
Speciality code (FGOS) 11.03.04
Speciality group (FGOS) 110000 - Электроника, радиотехника и системы связи
Links Отзыв руководителя
DOI 10.18720/SPBPU/2/v18-1812
Rights Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование)
Record key RU\SPSTU\edoc\54427
Record create date 10/23/2018

Allowed Actions

Action 'Read' will be available if you login or access site from another network

Action 'Download' will be available if you login or access site from another network

Group Anonymous
Network Internet

В настоящей работе разработаны и исследованы фотоприёмники на основе гетероструктур InAs/InAs[0.94]Sb[0.06]/InAsSbP/InAs[0.88]Sb[0.12]/InAsSbP, работающие в средней ИК области спектра 2-5 мкм при комнатной температуре. Следует отметить, что токовая монохроматическая чувствительность достигает значений 0.6−0.8A/Вт в спектральном диапазоне λ[max] = 4.0−4.6 мкм, а значения плотности обратных токов достигает значений (1.3−7.5)×10{−2} A/см{2}. При этом обнаружительная способность фотоприёмника достигает (5−8)×10{8} см•Гц{1/2}•Вт{−1}.

Network User group Action
ILC SPbPU Local Network All
Read Print Download
Internet Authorized users SPbPU
Read Print Download
Internet Anonymous

Access count: 37 
Last 30 days: 0

Detailed usage statistics