Формирователь балансного сигнала для КМОП-технологии: выпускная квалификационная работа бакалавра: 11.03.04 — Электроника и наноэлектроника
; 11.03.04_03 — Интегральная электроника и
наноэлектроника

Сиганов, Михаил Андреевич

Details

	Table	Card	RUSMARC

Title:	Формирователь балансного сигнала для КМОП-технологии: выпускная квалификационная работа бакалавра: 11.03.04 — Электроника и наноэлектроника ; 11.03.04_03 — Интегральная электроника и наноэлектроника
Creators:	Сиганов Михаил Андреевич
Scientific adviser:	Морозов Дмитрий Валерьевич
Organization:	Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций
Imprint:	Санкт-Петербург, 2018
Collection:	Выпускные квалификационные работы; Общая коллекция
Subjects:	балансный сигнал; переключаемые конденсаторы; КМОП; дифференциальный сигнал; операционный усилитель
Document type:	Bachelor graduation qualification work
File type:	PDF
Language:	Russian
Level of education:	Bachelor
Speciality code (FGOS):	11.03.04
Speciality group (FGOS):	110000 - Электроника, радиотехника и системы связи
Links:	Отзыв руководителя
DOI:	10.18720/SPBPU/2/v18-4107
Rights:	Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование)
Record key:	RU\SPSTU\edoc\58331

Allowed Actions: –

Action 'Read' will be available if you login or access site from another network Action 'Download' will be available if you login or access site from another network

Group: Anonymous

Network: Internet

Annotation

Объектом исследования является формирователь балансного сигнала. Цель работы – исследование схемы формирователя балансного сигнала для КМОП-технологии. В ходе работы был проведен анализ литературы на тему использования балансного входа в устройствах аналого-цифровых преобразователей. Был разработан формирователь балансного сигнала для КМОП-технологии 180 нм и был промоделирован в системе автоматизированного проектирования “Cadence”, были оценены его характеристики. Минимальным временем такта можно считать 4 нс для которого SNR составляет 77,12 дБ при амплитуде 100 мВ. При изменении амплитуды от 50 мВ до 100 мВ SNR изменяется от 92,83 дБ до 88,44 дБ соответственно. Худшим является вариант с медленными p-МОП транзисторами и быстрыми n-МОП при температуре -40 градусов. Для данного случая значение SNR составляет 76,97 дБ.

Document access rights

	Network		User group		Action
	ILC SPbPU Local Network		All
	Internet		Authorized users SPbPU
	Internet		Anonymous

Usage statistics

Access count: 64
Last 30 days: 0
Detailed usage statistics