Details
Title | Свойства эпитаксиальных нанослоев железо–иттриевого граната, выращенных методом молекулярно–лучевой эпитаксии: выпускная квалификационная работа бакалавра: 03.03.02 – Физика |
---|---|
Creators | Плахотник Иван Андреевич |
Scientific adviser | Сутурин С. М. |
Organization | Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций |
Imprint | Санкт-Петербург, 2018 |
Collection | Выпускные квалификационные работы ; Общая коллекция |
Subjects | железо-иттриевый гранат ; лазерная молекулярно-лучевая эпитаксия ; дифракция отраженных быстрых электронов ; атомно-силовая микроскопия ; моноатомные слои |
Document type | Bachelor graduation qualification work |
File type | |
Language | Russian |
Level of education | Bachelor |
Speciality code (FGOS) | 03.03.02 |
Speciality group (FGOS) | 030000 - Физика и астрономия |
Links | Отзыв руководителя ; Рецензия |
DOI | 10.18720/SPBPU/2/v18-5651 |
Rights | Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование) |
Record key | RU\SPSTU\edoc\58195 |
Record create date | 11/28/2018 |
Allowed Actions
–
Action 'Read' will be available if you login or access site from another network
Action 'Download' will be available if you login or access site from another network
Group | Anonymous |
---|---|
Network | Internet |
В данной работе описывается технология выращивания нанослоев железо-иттриевого граната (Y[3]Fe[5]O[12] или YIG) методом молекулярно-лучевой эпитаксии, а также особенности дифракционных картин и рельефа полученных наноструктур. Тонкие пленки железо-иттриевого граната благодаря своим магнитным свойствам и хорошей проводимости спиновых волн получили широкое применение в области спиновой наноэлектроники. Для успешного использования выращенные нанопленки должны иметь хорошее кристаллическое качество и малую толщину. Поиск подходящих условий роста пленки и анализ полученных результатов и есть основная цель этой работы. В качестве материала подложки использовался галлий-гадолиниевый гранат (Gd[3]Ga[5]O[12] или GGG), так как его кристаллическая решетка практически идентична решетке YIG. Рост проводился вдоль направления (111) при температуре 800-1000 градусов Цельсия и давлении кислорода 0.02 мбар. Толщина выращенной пленки 10 нм. Далее последовало исследование образца с помощью дифракции быстрых электронов и атомно-силового микроскопа. Интерпретация результатов сканирования позволила сделать вывод, что пленка обладает высокой гладкостью поверхности.
Network | User group | Action |
---|---|---|
ILC SPbPU Local Network | All |
|
Internet | Authorized users SPbPU |
|
Internet | Anonymous |
|
Access count: 34
Last 30 days: 0