С 17 марта 2020 г. для образовательных ресурсов Электронной библиотеки СПбПУ установлен особый режим их использования

Details

Title: Метод расчета спектра усиления нитридного лазера: выпускная квалификационная работа магистра: 11.04.04 - Электроника и наноэлектроника ; 11.04.04_01 - Микроэлектроника и наноэлектроника
Creators: Медведева Екатерина Евгеньевна
Scientific adviser: Фирсов Дмитрий Анатольевич
Organization: Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций
Imprint: Санкт-Петербург, 2019
Collection: Выпускные квалификационные работы; Общая коллекция
Subjects: Нитриды; Генераторы квантовые; нитридный лазер; расчет усиления; расчет энергетической диаграммы
UDC: 621.373.8:546.171.1(043.3)
Document type: Master graduation qualification work
File type: PDF
Language: Russian
Speciality code (FGOS): 11.04.04
Speciality group (FGOS): 110000 - Электроника, радиотехника и системы связи
Links: Отзыв руководителя; Рецензия; Отчет о проверке на объем и корректность внешних заимствований
DOI: 10.18720/SPBPU/3/2019/vr/vr19-2696
Rights: Свободный доступ из сети Интернет (чтение, печать, копирование)

Allowed Actions:

Action 'Read' will be available if you login or access site from another network Action 'Download' will be available if you login or access site from another network

Group: Anonymous

Network: Internet

Annotation

Произведено численное моделирование нитридного лазера на двойной гетероструктуре с учетом пьезоэлектрических полей, определяющих вид зонной диаграммы. Проведено исследование зависимости величины интеграла перекрытия от приложенного напряжения и ширины квантовой ямы. Произведен фиттинг кривых с использованием явных квадратичных приближений параболической части оптического усиления, на его основе получено аналитическое выражение для спектра усиления. Результаты работы были апробированы на экспериментальных данных.

A numerical simulation of a nitride laser on a double heterostructure is performed taking into account piezoelectric fields that determine the type of the band diagram. The dependence of the overlap integral on the applied voltage and the width of the quantum well is studied. Produced fitting curves using an explicit quadratic approximation of the parabolic part of the optical gain on the basis of the obtained analytical expression for the spectrum of gain. The results were tested on experimental data.

Document access rights

Network User group Action
ILC SPbPU Local Network All Read Print Download
Internet Authorized users Read Print Download
-> Internet Anonymous

Document usage statistics

stat Document access count: 43
Last 30 days: 9
Detailed usage statistics