Details
| Title | Исследование доноров азота в кристаллах карбида кремния методом высокочастотного электронного парамагнитного резонанса: выпускная квалификационная работа бакалавра: 11.03.04 - Электроника и наноэлектроника ; 11.03.04_04 - Микроэлектроника и твердотельная электроника |
|---|---|
| Creators | Криворучко Артём Дмитриевич |
| Scientific adviser | Фирсов Дмитрий Анатольевич |
| Organization | Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций |
| Imprint | Санкт-Петербург, 2019 |
| Collection | Выпускные квалификационные работы; Общая коллекция |
| Subjects | электронный парамагнитный резонанс; X-диапазон; W-диапазон; широкозонный полупроводник; карбид кремния; electronic paramagnetic resonance; X-band; W-band; wide band semiconductor; silicon carbide |
| Document type | Bachelor graduation qualification work |
| File type | |
| Language | Russian |
| Level of education | Bachelor |
| Speciality code (FGOS) | 11.03.04 |
| Speciality group (FGOS) | 110000 - Электроника, радиотехника и системы связи |
| Links | Отзыв руководителя; Отчет о проверке на объем и корректность внешних заимствований |
| DOI | 10.18720/SPBPU/3/2019/vr/vr19-3562 |
| Rights | Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование) |
| Record key | ru\spstu\vkr\1351 |
| Record create date | 8/26/2019 |
Allowed Actions
–
Action 'Read' will be available if you login or access site from another network
Action 'Download' will be available if you login or access site from another network
| Group | Anonymous |
|---|---|
| Network | Internet |
В данной работе проведены исследования доноров азота в широкозонном полупроводнике SiC. Записаны ЭПР спектры образцов SiC на спектрометрах 9.4 ГГц и 94 ГГц. Полученные g-факторы и константы сверхтонкой структуры согласуются с теоретическими данными. Было проведено сравнение спектров, записанных на частоте 9.4 ГГц и 94 ГГц, что показало большее разрешение по g-фактору при большей частоте. В результате проведённых исследований было подтверждено одно из основных преимуществ ЭПР метода в однозначном определении вида примеси и её положения в кристалле.
In this work, we studied nitrogen donors in a wide-gap semiconductor SiC. The EPR spectra of SiC samples were recorded on X-range and W-range spectrometers. Obtained g-factors and the hyperfine structure constants are consistent with theoretical data. A comparison was made of the spectra recorded on X-range and W-range, which showed a large x-factor resolution at a higher frequency. As a result of the research, it was confirmed one of the main advantages of the EPR method in unambiguously determining the type of impurity and its position in the crystal.
| Network | User group | Action |
|---|---|---|
| ILC SPbPU Local Network | All |
|
| Internet | Authorized users SPbPU |
|
| Internet | Anonymous |
|
Access count: 58
Last 30 days: 0
