Details

Title: Моделирование и анализ турбулентности в расплаве кремния со свободной поверхностью применительно к технологии выращивания кристаллов методом Чохральского: выпускная квалификационная работа магистра: 03.04.01 - Прикладные математика и физика ; 03.04.01_02 - Модели и высокопроизводительные вычисления в физической гидрогазодинамике
Creators: Борисов Дмитрий Витальевич
Scientific adviser: Абрамов Алексей Геннадьевич
Organization: Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт прикладной математики и механики
Imprint: Санкт-Петербург, 2019
Collection: Выпускные квалификационные работы; Общая коллекция
Subjects: Кремний — Кристаллы; Численные методы; Турбулентное течение — Моделирование; метод Чохральского; эффект Марангони
UDC: 546.28; 519.6; 532.517.4
Document type: Master graduation qualification work
File type: PDF
Language: Russian
Speciality code (FGOS): 03.04.01
Speciality group (FGOS): 030000 - Физика и астрономия
Links: http://doi.org/10.18720/SPBPU/3/2019/vr/vr19-5128; http://elib.spbstu.ru/dl/3/2019/vr/rev/vr19-5128-o.pdf; http://elib.spbstu.ru/dl/3/2019/vr/rev/vr19-5128-r.pdf; http://elib.spbstu.ru/dl/3/2019/vr/rev/vr19-5128-a.pdf
Rights: Свободный доступ из сети Интернет (чтение)

Allowed Actions: Read You need Flash Player to read document

Group: Anonymous

Network: Internet

Annotation

В работе проводится численное моделирование турбулентной конвекции расплава с помощью RANS моделей в установке выращивания кристаллов кремния методом Чохральского. Показана необходимость учета специфики свободной поверхности в RANS моделях. Исследуется влияние угловой скорости вращения тигля, а также давления и расхода аргона на концентрацию кислорода, встраиваемого в кристалл. Проводится обработка и анализ турбулентности в ранее проведенных расчетах с помощью ILES и DNS. Исследуется влияние эффекта Марангони на характеристики турбулентности у свободной поверхности. Проводится сравнение RANS подхода к моделированию турбулентности в расплаве на основе результатов ILES и DNS.

In this work numerical simulation of the melt turbulent convection in the Czochralski growth system of silicon crystal is performed using RANS models. The necessity of taking into account the specificity of the free surface in RANS models is shown. The effect of the angular velocity of crucible rotation, as well as the pressure and flow of argon on the concentration of oxygen embedded in the crystal is investigated. Turbulence is processed and analyzed in previous calculations using ILES and DNS. The influence of the Marangoni effect on the characteristics of turbulence near the free surface is investigated. RANS approach to melt turbulence modeling based on ILES and DNS results is investigated.

Document access rights

Network User group Action
FL SPbPU Local Network All Read
-> Internet All Read

Document usage statistics

stat Document access count: 15
Last 30 days: 0
Detailed usage statistics