Details

Title: Пространственно-временная динамика неравновесной электронно-дырочной плазмы в быстродействующих высоковольтных лавинных обострителях импульсов: выпускная квалификационная работа магистра: 16.04.01 - Техническая физика ; 16.04.01_01 - Физика и техника полупроводников
Creators: Иванов Михаил Сергеевич
Scientific adviser: Гасумянц Виталий Эдуардович
Organization: Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций
Imprint: Санкт-Петербург, 2019
Collection: Выпускные квалификационные работы; Общая коллекция
Subjects: Полупроводники; Импульсная техника; лавинный пробой; субнаносекундная электроника; импульсная электроника
UDC: 537.311.322(043.3); 621.374(043.3)
Document type: Master graduation qualification work
File type: PDF
Language: Russian
Speciality code (FGOS): 16.04.01
Speciality group (FGOS): 160000 - Физико-технические науки и технологии
Links: Отзыв руководителя; Рецензия; Отчет о проверке на объем и корректность внешних заимствований
DOI: 10.18720/SPBPU/3/2019/vr/vr19-565
Rights: Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование)

Allowed Actions:

Action 'Read' will be available if you login or access site from another network Action 'Download' will be available if you login or access site from another network

Group: Anonymous

Network: Internet

Annotation

Длительность импульса с субнаносекундным фронтом нарастания, коммутируемого диодными лавинными обострителями, обычно составляет несколько наносекунд. Считается, что длительность импульса ограничена временем дрейфового рассасывания неравновесной электронно-дырочной плазмы (ЭДП) из базы диода. В работе показано, что при обострении длинных импульсов полного рассасывания ЭДП не происходит, а проводящее состояние поддерживается двойной лавинной инжекцией. Поэтому длительность импульса тока, протекающего через обостритель, ограничивается не дрейфовым рассасыванием плазмы, а изотермическим и тепловым шнурованием тока.

Pulse commutated by a silicon avalanche sharpener usually has a duration of about several nanoseconds. The conventional idea is that the factor limiting the pulse duration is sweeping of the electron-hole plasma out from the diode base. We show that when commutating a long pulse complete recovery of a silicon avalanche sharpener does not take place because conducting state is maintained by avalanche injection. It means that pulse duration is restricted by current filamentation.

Document access rights

Network User group Action
ILC SPbPU Local Network All Read Print Download
Internet Authorized users SPbPU Read Print Download
Internet Authorized users (not from SPbPU)
-> Internet Anonymous

Usage statistics

stat Access count: 25
Last 30 days: 0
Detailed usage statistics