?

Details
Table Card RUSMARC
Title: Исследование процессов формирования омических контактов к эпитаксиальным слоям карбида кремния: выпускная квалификационная работа магистра: 22.04.01 - Материаловедение и технологии материалов ; 22.04.01_01 - Материаловедение наноматериалов и компонентов электронной техники
Creators: Клюева Евгения Николаевна
Scientific adviser: Соловьев Юрий Владимирович
Organization: Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт металлургии, машиностроения и транспорта
Imprint: Санкт-Петербург, 2019
Collection: Выпускные квалификационные работы; Общая коллекция
Subjects: Кремний, карбиды; Диоды полупроводниковые с барьером Шоттки; Триоды полупроводниковые полевые; омические контакты; эпитаксиальные слои
UDC: 546.281'261(043.3); 621.382.2/.3(043.3)
Document type: Master graduation qualification work
File type: PDF
Language: Russian
Level of education: Master
Speciality code (FGOS): 22.04.01
Speciality group (FGOS): 220000 - Технологии материалов
Links: Отзыв руководителя; Рецензия; Отчет о проверке на объем и корректность внешних заимствований
DOI: 10.18720/SPBPU/3/2019/vr/vr19-999
Rights: Доступ по паролю из сети Интернет (чтение)
Record key: ru\spstu\vkr\1188

Allowed Actions: –

Action 'Read' will be available if you login or access site from another network

Group: Anonymous

Network: Internet

Annotation

Проведено исследование процесса получения омических контактов к эпитаксиальным слоям карбида кремния. Осуществлена разработка технологии формирования омических контактов к карбиду кремния. Получен режим образования омических контактов в случае SiC JBS диодов с БШ и MOSFET транзисторов. Напыление контактной металлизации производилось в автоматизированной системе электронно-лучевого напыления STE EB71. Контакты формировались методом «взрывной» фотолитографии. Вжигание контактов проводилось в установке быстрой термической обработки AS-One.

The process of obtaining ohmic contacts to epitaxial layers of silicon carbide has been studied. The technology of forming ohmic contacts to silicon carbide has been developed. The formation of ohmic contacts in the case of SiC JBS diodes with BS and MOSFET transistors is obtained. Sputtering contact metallization was carried out in an automated electron-beam sputtering system STE EB71. Contacts were formed by the method of lift-off process. Contact burn-in was carried out in an AS-One quick heat treatment installation.

Document access rights

Network User group Action
ILC SPbPU Local Network All Read
Internet Authorized users SPbPU Read
-> Internet Anonymous

Usage statistics

stat Access count: 35
Last 30 days: 0
Detailed usage statistics