Детальная информация

Название: Исследование процессов формирования омических контактов к эпитаксиальным слоям карбида кремния: выпускная квалификационная работа магистра: 22.04.01 - Материаловедение и технологии материалов ; 22.04.01_01 - Материаловедение наноматериалов и компонентов электронной техники
Авторы: Клюева Евгения Николаевна
Научный руководитель: Соловьев Юрий Владимирович
Организация: Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт металлургии, машиностроения и транспорта
Выходные сведения: Санкт-Петербург, 2019
Коллекция: Выпускные квалификационные работы; Общая коллекция
Тематика: Кремний, карбиды; Диоды полупроводниковые с барьером Шоттки; Триоды полупроводниковые полевые; омические контакты; эпитаксиальные слои
УДК: 546.281'261(043.3); 621.382.2/.3(043.3)
Тип документа: Выпускная квалификационная работа магистра
Тип файла: PDF
Язык: Русский
Код специальности ФГОС: 22.04.01
Группа специальностей ФГОС: 220000 - Технологии материалов
Ссылки: Отзыв руководителя; Рецензия; Отчет о проверке на объем и корректность внешних заимствований
DOI: 10.18720/SPBPU/3/2019/vr/vr19-999
Права доступа: Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование)

Разрешенные действия:

Действие 'Прочитать' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети Действие 'Загрузить' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети

Группа: Анонимные пользователи

Сеть: Интернет

Аннотация

Проведено исследование процесса получения омических контактов к эпитаксиальным слоям карбида кремния. Осуществлена разработка технологии формирования омических контактов к карбиду кремния. Получен режим образования омических контактов в случае SiC JBS диодов с БШ и MOSFET транзисторов. Напыление контактной металлизации производилось в автоматизированной системе электронно-лучевого напыления STE EB71. Контакты формировались методом «взрывной» фотолитографии. Вжигание контактов проводилось в установке быстрой термической обработки AS-One.

The process of obtaining ohmic contacts to epitaxial layers of silicon carbide has been studied. The technology of forming ohmic contacts to silicon carbide has been developed. The formation of ohmic contacts in the case of SiC JBS diodes with BS and MOSFET transistors is obtained. Sputtering contact metallization was carried out in an automated electron-beam sputtering system STE EB71. Contacts were formed by the method of lift-off process. Contact burn-in was carried out in an AS-One quick heat treatment installation.

Права на использование объекта хранения

Место доступа Группа пользователей Действие
Локальная сеть ИБК СПбПУ Все Прочитать Печать Загрузить
Интернет Авторизованные пользователи Прочитать Печать Загрузить
-> Интернет Анонимные пользователи

Статистика использования

stat Количество обращений: 31
За последние 30 дней: 0
Подробная статистика