Details

Title: Создание маски для заземляющих отверстий с помощью процесса фотолитографии на обратной стороне подложки GaAs с использованием установки MJB4: выпускная квалификационная работа бакалавра: направление 28.03.01 «Нанотехнологии и микросистемная техника» ; образовательная программа 28.03.01_01 «Технологии материалов и изделий микросистемной техники»
Creators: Саламатова Ульяна Вячеславовна
Scientific adviser: Михайловский Григорий Александрович
Other creators: Филатов Леонид Анатольевич
Organization: Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт машиностроения, материалов и транспорта
Imprint: Санкт-Петербург, 2020
Collection: Выпускные квалификационные работы; Общая коллекция
Subjects: фотолитография; обратная сторона; установка MJB4; заземляющие отверстия; фоторезист ФП-4-04; photolitography; back side; installation MJB4; via holes; photoresist FP-4-04
Document type: Bachelor graduation qualification work
File type: PDF
Language: Russian
Speciality code (FGOS): 28.03.01
Speciality group (FGOS): 280000 - Нанотехнологии и наноматериалы
Links: Отзыв руководителя; Отчет о проверке на объем и корректность внешних заимствований
DOI: 10.18720/SPBPU/3/2020/vr/vr20-1436
Rights: Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование)

Allowed Actions:

Action 'Read' will be available if you login or access site from another network Action 'Download' will be available if you login or access site from another network

Group: Anonymous

Network: Internet

Annotation

Данная работа посвящена исследованию процесса создания маски для заземляющих отверстий на обратной стороне подложки GaAs. Работа проведена на базе ЗАО «Светлана-Электронприбор». В ходе выполнения задания была освоена работа на установке MJB4. В результате проделанной работы были подобраны режимы проведения процесса фотолитографии на обратной стороне подложки с использованием фоторезиста ФП-4-04мС, проведен анализ качества изготовленной фоторезистивной маски. Также в работе приведены результаты тестового процесса травления сквозных отверстий в подложке GaAS. Анализ результатов показал, что сформированная на обратной стороне пластины фоторезистивная маска была изготовлена качественно.

This work is devoted to the study of the process of a mask creating for grounding holes on the back of a GaAs substrate. In the course of the assignment, the work on the installation of MJB4 was mastered. As the results of the work, the conditions of the photolithography process on the back side of the substrate using the FP-4-04mS photoresist were selected, and the quality of the manufactured photoresist mask was analyzed. The paper also presents the results of the test process for etching through holes in a GaAS substrate. The analysis of the results showed that the photoresistive mask formed on the back of the plate was made qualitatively. As the result, the MJB4 installation was mastered and the photolithography process on the back side of the GaAs substrate with the aim of creation photoresist mask for liquid etching of the ground holes was conduct.

Document access rights

Network User group Action
ILC SPbPU Local Network All Read Print Download
Internet Authorized users SPbPU Read Print Download
Internet Authorized users (not from SPbPU)
-> Internet Anonymous

Usage statistics

stat Access count: 7
Last 30 days: 1
Detailed usage statistics