Details

Title Структурные изменения тонкой аморфной пленки кремния при электронном облучении: выпускная квалификационная работа бакалавра: направление 16.03.01 «Техническая физика» ; образовательная программа 16.03.01_10 «Физическая и биомедицинская электроника»
Creators Зайцев Никита Сергеевич
Scientific adviser Подсвиров Олег Алексеевич
Other creators Давыдов Сергей Николаевич
Organization Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций
Imprint Санкт-Петербург, 2020
Collection Выпускные квалификационные работы ; Общая коллекция
Subjects электронное облучение ; кремний ; структура ; спектроскопия комбинационного рассеяния ; взрывная кристаллизация ; electron irradiation ; silicon ; structure ; raman spectroscopy
Document type Bachelor graduation qualification work
File type PDF
Language Russian
Level of education Bachelor
Speciality code (FGOS) 16.03.01
Speciality group (FGOS) 160000 - Физико-технические науки и технологии
Links Отзыв руководителя ; Отчет о проверке на объем и корректность внешних заимствований
DOI 10.18720/SPBPU/3/2020/vr/vr20-1635
Rights Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать)
Record key ru\spstu\vkr\8193
Record create date 7/31/2020

Allowed Actions

Action 'Read' will be available if you login or access site from another network

Group Anonymous
Network Internet

В данной работе исследуются изменения структуры тонкой плёнки аморфного кремния облученного электронным пучком с различной энергией и дозами. Произведено экспериментальное исследование спектров комбинационного рассеяния света (эффект Рамана).Показано, что облучение электронами с энергией 5-10 keV аморфной пленки кремния толщиной 30 nm на силикатном стекле приводит к ее кристаллизации при температуре, значительно меньшей температуры плавления и отжига кремния.

An experimental study of the changes in the structure of a thin film of amorphous silicon irradiated by electron beam with different energy and radiations doses. Was conducted an experimental study of Raman spectra (Raman effect). It is shown that electron irradiation with energy of 5-10 keV of an amorphous silicon film with30 nm thickness on a silicate glass leads to film crystallization at the temperature significantly lower than the melting and annealing temperature of silicon.

Network User group Action
ILC SPbPU Local Network All
Read Print
Internet Authorized users SPbPU
Read Print
Internet Anonymous

Access count: 7 
Last 30 days: 0

Detailed usage statistics