Details

Title Исследование примесного поглощения света в квантовых ям p-GaAs/AlGaAs: выпускная квалификационная работа магистра: направление 16.04.01 «Техническая физика» ; образовательная программа 16.04.01_01 «Физика и техника полупроводников»
Creators Граф Сергей Владимирович
Scientific adviser Винниченко Максим Яковлевич
Other creators Гаврикова Татьяна Андреевна
Organization Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций
Imprint Санкт-Петербург, 2020
Collection Выпускные квалификационные работы; Общая коллекция
Subjects квантовые ямы; инфракрасное излучение; поглощение; примесные состояния; дырочные переходы; энергетический спектр; quantum wells; infrared emission; absorption; energy spectrum; hole transitions; impurity states
Document type Master graduation qualification work
File type PDF
Language Russian
Level of education Master
Speciality code (FGOS) 16.04.01
Speciality group (FGOS) 160000 - Физико-технические науки и технологии
Links Отзыв руководителя; Рецензия; Отчет о проверке на объем и корректность внешних заимствований
DOI 10.18720/SPBPU/3/2020/vr/vr20-1770
Rights Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование)
Record key ru\spstu\vkr\7522
Record create date 7/23/2020

Allowed Actions

Action 'Read' will be available if you login or access site from another network

Action 'Download' will be available if you login or access site from another network

Group Anonymous
Network Internet

В данной выпускной квалификационной работе представлены результаты исследования примесного поглощения в наноструктурах с квантовыми ямами p-GaAs/AlGaAs. Был проведен расчет закона дисперсии дырок и спектра примесного поглощения с помощью метода разложения кулоновского потенциала по состояниям валентных подзон. Теоретические расчеты были сравнены с экспериментальными спектрами примесного поглощения. Показано, что основной вклад в спектр примесного поглощения вносят переходы с основного примесного состояния на делокализованные состояния валентных подзон, а также фотоионизация примеси. Результаты данной работы могут быть использованы для создания длинноволновых инфракрасных фотодетекторов, модуляторов, источников света, контролируемых оптической или электрической накачкой.

This work presents the results of impurity assisted absorption of p-GaAs/AlGaAs quantum wells. The band diagram of holes in quantum well and the absorption spectrum were calculated using the method of decomposition of the Coulomb potential in the states of holes in the valence subbands. The theoretical results were compared with the experimentally observed absorption spectra. It has been shown that the main contribution to the absorption is associated with transitions from the ground impurity state to the delocalized states of valence subbands and photoionization of the impurity. The results of this work can be used to create long-wavelength infrared photodetectors, modulators, light sources controlled by optical or electrical pumping.

Network User group Action
ILC SPbPU Local Network All
Read Print Download
Internet Authorized users SPbPU
Read Print Download
Internet Anonymous

Access count: 9 
Last 30 days: 0

Detailed usage statistics