Details

Title: Исследование примесного поглощения света в квантовых ям p-GaAs/AlGaAs: выпускная квалификационная работа магистра: направление 16.04.01 «Техническая физика» ; образовательная программа 16.04.01_01 «Физика и техника полупроводников»
Creators: Граф Сергей Владимирович
Scientific adviser: Винниченко Максим Яковлевич
Other creators: Гаврикова Татьяна Андреевна
Organization: Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций
Imprint: Санкт-Петербург, 2020
Collection: Выпускные квалификационные работы; Общая коллекция
Subjects: квантовые ямы; инфракрасное излучение; поглощение; примесные состояния; дырочные переходы; энергетический спектр; quantum wells; infrared emission; absorption; energy spectrum; hole transitions; impurity states
Document type: Master graduation qualification work
File type: PDF
Language: Russian
Level of education: Master
Speciality code (FGOS): 16.04.01
Speciality group (FGOS): 160000 - Физико-технические науки и технологии
Links: Отзыв руководителя; Рецензия; Отчет о проверке на объем и корректность внешних заимствований
DOI: 10.18720/SPBPU/3/2020/vr/vr20-1770
Rights: Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование)
Record key: ru\spstu\vkr\7522

Allowed Actions:

Action 'Read' will be available if you login or access site from another network Action 'Download' will be available if you login or access site from another network

Group: Anonymous

Network: Internet

Annotation

В данной выпускной квалификационной работе представлены результаты исследования примесного поглощения в наноструктурах с квантовыми ямами p-GaAs/AlGaAs. Был проведен расчет закона дисперсии дырок и спектра примесного поглощения с помощью метода разложения кулоновского потенциала по состояниям валентных подзон. Теоретические расчеты были сравнены с экспериментальными спектрами примесного поглощения. Показано, что основной вклад в спектр примесного поглощения вносят переходы с основного примесного состояния на делокализованные состояния валентных подзон, а также фотоионизация примеси. Результаты данной работы могут быть использованы для создания длинноволновых инфракрасных фотодетекторов, модуляторов, источников света, контролируемых оптической или электрической накачкой.

This work presents the results of impurity assisted absorption of p-GaAs/AlGaAs quantum wells. The band diagram of holes in quantum well and the absorption spectrum were calculated using the method of decomposition of the Coulomb potential in the states of holes in the valence subbands. The theoretical results were compared with the experimentally observed absorption spectra. It has been shown that the main contribution to the absorption is associated with transitions from the ground impurity state to the delocalized states of valence subbands and photoionization of the impurity. The results of this work can be used to create long-wavelength infrared photodetectors, modulators, light sources controlled by optical or electrical pumping.

Document access rights

Network User group Action
ILC SPbPU Local Network All Read Print Download
Internet Authorized users SPbPU Read Print Download
-> Internet Anonymous

Usage statistics

stat Access count: 9
Last 30 days: 0
Detailed usage statistics