Details

Title: Исследование влияния начальных стадий роста на свойства гетероструктур GaN/AlGaN с двумерным электронным газом, полученных методом молекулярно–лучевой эпитаксии: выпускная квалификационная работа бакалавра: направление 11.03.04 «Электроника и наноэлектроника» ; образовательная программа 11.03.04_04 «Микроэлектроника и твердотельная электроника»
Creators: Марасин Олег Дмитриевич
Scientific adviser: Винниченко Максим Яковлевич
Other creators: Гаврикова Татьяна Андреевна
Organization: Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций
Imprint: Санкт-Петербург, 2020
Collection: Выпускные квалификационные работы; Общая коллекция
Subjects: молекулярная лучевая эпитаксия; нитриды металлов III-группы; двумерный электронный газ; подвижность; molecular beam epitaxy; growth processes; two-dimensional electron gas; ammonia flow; metal-organic chemical vapour deposition
Document type: Bachelor graduation qualification work
File type: PDF
Language: Russian
Speciality code (FGOS): 11.03.04
Speciality group (FGOS): 110000 - Электроника, радиотехника и системы связи
Links: Отзыв руководителя; Отчет о проверке на объем и корректность внешних заимствований
DOI: 10.18720/SPBPU/3/2020/vr/vr20-1845
Rights: Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование)

Allowed Actions:

Action 'Read' will be available if you login or access site from another network Action 'Download' will be available if you login or access site from another network

Group: Anonymous

Network: Internet

Annotation

Структуры GaN/AlGaN обладают уникальным сочетанием свойств: высокие пробивные поля, высокая термическая и радиационная стойкость. Все это делает данные материалы привлекательными для применения в высокотемпературной сильноточной электронике. Основной целью работы являлось исследование влияния начальных стадий роста на свойства гетероструктур GaN/AlGaN с двумерным электронным газом полученных методом молекулярно–лучевой эпитаксии. В процессе работы были решены следующие задачи: 1. Выращивание гетероструктур AlN/AlGaN/GaN/AlGaN при различных начальных условиях роста. 2. Осуществление контроля в процессе роста следующими методами: лазерная интерферометрия и дифракция быстрых электронов. 3. Проведение измерений физических параметров получившихся структур. 4. Анализ данных Применение различных подходов на этапе роста буферных слоев (сурфактант Ga или оптимизированный поток аммиака и температура подложки) позволяет заметно увеличить подвижность носителей в двумерном электронном газе.

GaN / AlGaN structures have a unique combination of properties: high breakdown fields, high thermal and radiation resistance. All this makes these materials very attractive for use in high-temperature high-current electronics. The main goal of the work was to study the effect of the initial growth stages on the properties of GaN / AlGaN heterostructures with two-dimensional electron gas obtained by molecular beam epitaxy. In the process, the following tasks were solved: 1. Growing of AlN / AlGaN / GaN / AlGaN heterostructures under various initial growth conditions. 2. Monitoring during growth by the following methods: laser interferometry and diffraction of fast electrons. 3. Measurement of the physical parameters of the resulting structures. 4. Data analysis The use of various approaches at the initial stage of growth of buffer layers (Ga-surfactant or optimized ammonia flow and substrate temperature) can significantly increase the carrier mobility in a two-dimensional electron gas.

Document access rights

Network User group Action
ILC SPbPU Local Network All Read Print Download
Internet Authorized users SPbPU Read Print Download
Internet Authorized users (not from SPbPU)
-> Internet Anonymous

Usage statistics

stat Access count: 4
Last 30 days: 0
Detailed usage statistics