Структуры GaN/AlGaN обладают уникальным сочетанием свойств: высокие пробивные поля, высокая термическая и радиационная стойкость. Все это делает данные материалы привлекательными для применения в высокотемпературной сильноточной электронике. Основной целью работы являлось исследование влияния начальных стадий роста на свойства гетероструктур GaN/AlGaN с двумерным электронным газом полученных методом молекулярно–лучевой эпитаксии. В процессе работы были решены следующие задачи: 1. Выращивание гетероструктур AlN/AlGaN/GaN/AlGaN при различных начальных условиях роста. 2. Осуществление контроля в процессе роста следующими методами: лазерная интерферометрия и дифракция быстрых электронов. 3. Проведение измерений физических параметров получившихся структур. 4. Анализ данных Применение различных подходов на этапе роста буферных слоев (сурфактант Ga или оптимизированный поток аммиака и температура подложки) позволяет заметно увеличить подвижность носителей в двумерном электронном газе.

GaN / AlGaN structures have a unique combination of properties: high breakdown fields, high thermal and radiation resistance. All this makes these materials very attractive for use in high-temperature high-current electronics. The main goal of the work was to study the effect of the initial growth stages on the properties of GaN / AlGaN heterostructures with two-dimensional electron gas obtained by molecular beam epitaxy. In the process, the following tasks were solved: 1. Growing of AlN / AlGaN / GaN / AlGaN heterostructures under various initial growth conditions. 2. Monitoring during growth by the following methods: laser interferometry and diffraction of fast electrons. 3. Measurement of the physical parameters of the resulting structures. 4. Data analysis The use of various approaches at the initial stage of growth of buffer layers (Ga-surfactant or optimized ammonia flow and substrate temperature) can significantly increase the carrier mobility in a two-dimensional electron gas.