Марасин, Олег Дмитриевич. Исследование влияния начальных стадий роста на свойства гетероструктур GaN/AlGaN с двумерным электронным газом, полученных методом молекулярно–лучевой эпитаксии: выпускная квалификационная работа бакалавра: направление 11.03.04 «Электроника и наноэлектроника» ; образовательная программа 11.03.04_04 «Микроэлектроника и твердотельная электроника» = Investigation of the influence of the initial growth stages on the properties of GaN / AlGaN heterostructures with two-dimensional electron gas obtained by molecular beam epitaxy / О. Д. Марасин; Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций ; научный руководитель М. Я. Винниченко ; консультант по нормоконтролю Т. А. Гаврикова. — Санкт-Петербург, 2020. — 1 файл (1,0 Мб). — Загл. с титул. экрана. — Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование). — Adobe Acrobat Reader 7.0. — <URL:http://elib.spbstu.ru/dl/3/2020/vr/vr20-1845.pdf>. — <URL:http://elib.spbstu.ru/dl/3/2020/vr/rev/vr20-1845-o.pdf>. — <URL:http://elib.spbstu.ru/dl/3/2020/vr/rev/vr20-1845-a.pdf>. — DOI 10.18720/SPBPU/3/2020/vr/vr20-1845. — Текст
| Period | Read | Copy | Open | Total | |
|---|---|---|---|---|---|
| Yesterday | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 |
| Last 30 days | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 |
| Last 365 days | 3 | 0 | 1 | 0 | 4 |
| All time | 6 | 0 | 3 | 0 | 9 |