Details

Title: Терагерцовая экситонная фотолюминесценция в кремнии: выпускная квалификационная работа бакалавра: направление 11.03.04 «Электроника и наноэлектроника» ; образовательная программа 11.03.04_04 «Микроэлектроника и твердотельная электроника»
Creators: Умаханов Магомед Алимагомедович
Scientific adviser: Винниченко Максим Яковлевич
Other creators: Мелентьев Григорий Александрович
Organization: Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций
Imprint: Санкт-Петербург, 2020
Collection: Выпускные квалификационные работы; Общая коллекция
Subjects: терагерцовая экситонная фотолюминесценция; электролюминесценция; фурье-спектрометр; легированный полупроводник; примесный пробой; terahertz exciton photoluminescence; electroluminescence; fourier spectrometer; doped semiconductor; impurity breakdown
Document type: Bachelor graduation qualification work
File type: PDF
Language: Russian
Speciality code (FGOS): 11.03.04
Speciality group (FGOS): 110000 - Электроника, радиотехника и системы связи
Links: Отзыв руководителя; Отчет о проверке на объем и корректность внешних заимствований
DOI: 10.18720/SPBPU/3/2020/vr/vr20-2733
Rights: Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование)

Allowed Actions:

Action 'Read' will be available if you login or access site from another network Action 'Download' will be available if you login or access site from another network

Group: Anonymous

Network: Internet

Annotation

Данная работа посвящена изучению терагерцовой экситонной фотолюминесценции в кремнии. Целью исследования была возможность обнаружения терагерцового излучения в Si. Спектральные исследования проводились в кристаллах высокочистого Si при температуре 5 К и в условиях межзонного оптического фотовозбуждения с интенсивностью накачки 0,1 Вт/см2. В качестве метода исследования был выбран метод Фурье – спектроскопии. В результате удалось обнаружить экситонную фотолюминесценцию в кристаллах кремния при межзонной оптической накачке. Спектр терагерцовой фотолюминесценции демонстрирует узкие эмиссионные линии оптических переходов между подуровнями 2P возбужденного и 1S основного состояний свободных экситонов.

This work is devoted to the study of terahertz exciton photoluminescence in silicon. The aim of the study was the possibility of detecting terahertz radiation in Si. The studies were carried out in crystals of high-purity Si at a temperature of 5 K and under conditions of interband optical photoexcitation with a pump intensity of 0.1 W/cm2. Spectra were taking using Fourier spectrometer. Research method - Fourier method - spectroscopy was chosen. Conductivity measurement at dry helium temperature. As a result, it was possible to detect exciton photoluminescence in Si crystals upon interband optical pumping. The terahertz photoluminescence spectrum demonstrates narrow emission lines of optical transitions between the sublevels 2P of the excited and 1S ground levels of free excitons.

Document access rights

Network User group Action
ILC SPbPU Local Network All Read Print Download
Internet Authorized users SPbPU Read Print Download
Internet Authorized users (not from SPbPU)
-> Internet Anonymous

Usage statistics

stat Access count: 8
Last 30 days: 0
Detailed usage statistics