Тема выпускной квалификационной работы: «Тепломассообмен в хлорид-гидридном реакторе HVPE установки эпитаксиального роста монокристаллов». Проведено моделирование процессов тепломассообмена в четырех типах эпитаксиальных хлорид - гидридных реакторах (HVPE реакторы), рассмотрены все процессы в нем протекающие, проведено численное исследование. Для каждого типа реактора (вертикальный прямой, вертикальный перевернутый, горизонтальный) были получены наборы данных вычислительного эксперимента. Установлено, что оптимальным для эптикасиального роста пленок является реактор горизонтального типа (по качеству пленки и оптимальной скорости роста (для пленок типа GaN). Установлено и подтверждено экспериментально, что скорость роста монокристаллического слоя зависит от температуры.

Modeling of heat and mass transfer processes in four types of epitaxial chloride hydride reactors (HVPE reactors) was performed, all processes occurring in it were considered, and a numerical study was conducted. For each type of reactor (vertical straight, vertical inverted, horizontal), data sets of the computational experiment were obtained. It was found that the optimal for epticasial growth of films is a horizontal type reactor in terms of film quality and optimal growth rate (for GaN type films). It is established that the growth rate of the single-crystal layer depends on the temperature.