В работе рассмотрено влияние технологических параметров на процесс осаждения оксида кремния при ВЧ магнетронном распылении. Изучена методика распыления, и, опираясь на изученную литературу, предложен оптимальный режим для напыления аморфных нанослоёв оксида кремния. Проведены эксперименты по осаждению оксида без добавления кислорода в рабочий газ и с добавлением первого. Отработанный процесс был применён для модификации линий задержки, что привело к улучшению их характеристик.

The influence of technological parameters on the deposition of silicon oxide during RF magnetron sputtering was considered. Based on the literature studied, the optimal mode for sputtering amorphous silicon oxide nanolayers is proposed. Experiments were carried out on the deposition of oxide without adding oxygen to the working gas and with the addition of the oxygen. The developed process was used to modify the delay lines, which led to an improvement of their characteristics.