Details

Title: Отработка технологии магнетронного распыления нанослоёв оксида кремния: выпускная квалификационная работа бакалавра: направление 28.03.01 «Нанотехнологии и микросистемная техника» ; образовательная программа 28.03.01_01 «Технологии материалов и изделий микросистемной техники»
Creators: Жуков Павел Юрьевич
Scientific adviser: Афанасьева Елена Владимировна; Лукьянов Валерий Дмитриевич
Other creators: Филатов Леонид Анатольевич
Organization: Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт машиностроения, материалов и транспорта
Imprint: Санкт-Петербург, 2021
Collection: Выпускные квалификационные работы; Общая коллекция
Subjects: вч магнетронное распыление; оксид кремния; изоляционные слои; акустические линии задержки; rf magnetron sputtering; silicon oxide; insulation layers; acoustic delay lines
Document type: Bachelor graduation qualification work
File type: PDF
Language: Russian
Level of education: Bachelor
Speciality code (FGOS): 28.03.01
Speciality group (FGOS): 280000 - Нанотехнологии и наноматериалы
Links: Отзыв руководителя; Отчет о проверке на объем и корректность внешних заимствований
DOI: 10.18720/SPBPU/3/2021/vr/vr21-2222
Rights: Доступ по паролю из сети Интернет (чтение)
Record key: ru\spstu\vkr\12407

Allowed Actions:

Action 'Read' will be available if you login or access site from another network

Group: Anonymous

Network: Internet

Annotation

В работе рассмотрено влияние технологических параметров на процесс осаждения оксида кремния при ВЧ магнетронном распылении. Изучена методика распыления, и, опираясь на изученную литературу, предложен оптимальный режим для напыления аморфных нанослоёв оксида кремния. Проведены эксперименты по осаждению оксида без добавления кислорода в рабочий газ и с добавлением первого. Отработанный процесс был применён для модификации линий задержки, что привело к улучшению их характеристик.

The influence of technological parameters on the deposition of silicon oxide during RF magnetron sputtering was considered. Based on the literature studied, the optimal mode for sputtering amorphous silicon oxide nanolayers is proposed. Experiments were carried out on the deposition of oxide without adding oxygen to the working gas and with the addition of the oxygen. The developed process was used to modify the delay lines, which led to an improvement of their characteristics.

Document access rights

Network User group Action
ILC SPbPU Local Network All Read
External organizations N2 All Read
External organizations N1 All
Internet Authorized users SPbPU Read
Internet Authorized users (not from SPbPU, N2) Read
Internet Authorized users (not from SPbPU, N1)
-> Internet Anonymous

Usage statistics

stat Access count: 12
Last 30 days: 1
Detailed usage statistics